[비즈니스포스트] 삼성전자 파운드리가 TSMC 추격을 위해 3나노 공정을 건너뛰고 2나노 공정 기술 개발에 집중하는 가운데 중국의 파운드리 기술 추격 우려는 당분간 덜 수 있을 것으로 보인다.

미국의 반도체 대중 규제 강화에 따라 중국 화웨이와 SMIC가 적어도 2026년까지는 7나노 공정에 머무를 것이란 전망이 나오고 있기 때문이다.

21일 반도체 업계 취재를 종합하면 미국의 대중 규제에 따른 반도체 장비 수출과 7나노 이하 첨단 공정 금지 조치로 중국의 첨단 공정 개발이 늦어질 전망이다.

블룸버그는 최근 화웨이가 ASML로부터 극자외선(EUV) 장비 조달에 어려움을 겪으며 인공지능(AI) 시장에서 난항을 겪고 있다고 보도했다.

화웨이 등 중국 기업들은 미국의 대중 반도체 규제로 7나노 이하 공정에서 TSMC나 삼성전자 파운드리와 협력할 수 없게 돼 사실상 중국 파운드리사 SMIC에 의존할 수밖에 없는 상황이다.

첨단 공정 적용을 위해 필수인 네덜란드 ASML사의 초극자외선(EUV) 노광 장비 반입이 어려워지면서 SMIC는 7나노 이하 공정 개발이 어려워진 것으로 보인다.

블룸버그는 SMIC 파운드리를 이용하는 화웨이의 어센드 AI 칩은 적어도 2026년까지는 7나노 공정에 머물 것으로 전망했다.

올해 초 화웨이와 중국 파운드리사 SMIC가 5나노 공정을 성공적으로 개발했다는 소식이 전해졌지만, 개발된 5나노 공정 웨이퍼는 오래된 심자외선(DUV) 장비를 사용한 것으로 전해졌다.

미국 IT매체 WCCF테크는 “DUV를 사용해 5나노 반도체를 대량 생산한다는 점을 감안하면, SMIC는 의심할 여지없이 수율(완성품 비율) 문제에 직면하게 될 것”이라고 보도했다.

삼성전자는 올해 TSMC와 세계 파운드리 시장 점유율 격차가 50%포인트 이상 벌어졌고, 3나노 공정으로 대형 고객사 유치에 실패하며 위기를 맞았다. 올해 3분기 삼성전자 파운드리와 시스템LSI 부문의 적자 규모는 2조 원을 넘는다.

삼성전자는 지난 10월 말 3분기 실적발표 콘퍼런스 콜를 통해 앞으로 파운드리 투자를 축소하며 운영 효율화에 나선다고 밝혔다. TSMC와 협력을 강화해 이미 경쟁력을 잃은 3나노 투자를 줄이고 다음 2나노 공정에 집중할 것으로 보인다.

앞서 삼성전자와 TSMC는 이미 2018년 7나노 파운드리 공정 기술 개발에 성공했으며, 삼성전자는 세계 최초로 7나노 공정에 EUV 장비를 도입하기도 했다.

WCCF테크는 “SMIC가 최첨단 공정 노드로 7나노를 5년 동안 사용하게 됐는데, 이는 칩 제조에서 영원에 가까운 시간”이라고 보도했다. 김호현 기자