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곽노정 SK하이닉스 HBM 우위 자신감, "올해 이어 내년 생산 제품도 완판"

김바램 기자 wish@businesspost.co.kr 2024-05-02 12:00:00
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<a href='https://www.businesspost.co.kr/BP?command=article_view&num=334083' class='human_link' style='text-decoration:underline' target='_blank'>곽노정</a> SK하이닉스 HBM 우위 자신감, "올해 이어 내년 생산 제품도 완판"
곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장 2일 이천 본사에서 'AI시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 기자 간담회를 진행하고 있다. < SK하이닉스 >
[비즈니스포스트] 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 고대역폭메모리(HBM)에서의 경쟁우위에 자신감을 드러냈다.  

SK하이닉스의 HBM은 수요를 따라가지 못하는 상황에 놓여있고, HBM3E(5세대 HBM) 12단 제품도 올해 안에 양산을 시작했다고 강조하면서다.

곽노정 사장은 2일 경기 이천 본사에서 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 열린 기자간담회에서 “현재 회사 HBM은 생산 측면에서 보면 올해 이미 솔드아웃(완판)인데, 내년 역시 거의 솔드아웃됐다”고 말했다.
 
곽 사장에 따르면 SK하이닉스는 ‘세계 최고’ 성능의 HBM3E(5세대 HBM) 12단 제품 샘플을 5월에 제공하고 3분기 양산에 착수할 수 있도록 준비하고 있다.

삼성전자가 HBM3E 12단에서 SK하이닉스를 따라잡는 것을 허용하지 않겠다는 뜻으로 해석된다.

HBM3E 12단 제품 선점은 수익성 측면에서도 중요하다.

곽 사장은 “'질적 성장'을 위해 원가 경쟁력을 강화하고 고수익 제품 중심으로 판매를 늘려 수익성을 지속적으로 높여 나가겠다”며 “변화하는 수요 환경에 유연하게 대응하는 투자 방식으로 캐시(현금)수준을 높여 재무 건전성도 지속 제고해 나갈 계획”이라고 말했다.

간담회에 참여한 김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당 사장은 인공지능(AI) 시장 성장에 발맞춰 AI 메모리를 중심으로 성장을 가속하겠다는 계획을 밝혔다. 

김 사장은 “AI 시대에 들어 전세계에서 생산되는 데이터 총량은 2014년 15제타바이트(ZB=10억 테라바이트)에서 2030년 660ZB까지 늘어날 것”이라며 “2023년 전체 메모리 시장의 약 5%(금액 기준)를 차지했던 HBM과 고용량 D램 모듈 등 AI 메모리의 비중이 2028년엔 61%에 달할 것”으로 내다봤다.

그는 △HBM4(6세대 HBM)와 4E(7세대 HBM) △LPDDR6 △300테라바이트(TB) 솔리드스테이트드라이브(SSD) △컴퓨트익스프레스링크(CXL) 풀드 메모리 솔루션 △지능형 메모리(PIM) 등 다양한 등 차세대 메모리를 준비하고 있다고 설명했다.

최우진 P&T 담당 부사장은 기자간담회에서 “매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF) 기술이 고적층(하이 스택)에서 한계를 보일 수 있다는 의견이 있지만 실제로는 그렇지 않다”며 “SK하이닉스는 이미 어드밴스드 MR-MUF를 활용해 12단 HBM3 제품을 양산하고 있다”고 강조했다.

MR-MUF는 SK하이닉스가 독자 개발한 패키징 기술로 HBM에 적용된다. 

최 부사장에 따르면 MR-MUF 기술은 과거 공정 대비 칩 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고, 공정시간을 줄여 생산성을 4배로 높이며, 열 방출도 45% 향상했다.

그는 “최근 도입한 어드밴스드 MR-MUF는 MR-MUF의 장점을 그대로 유지하는 가운데 신규 보호재를 적용해 방열 특성을 10% 더 개선했다”며 “어드밴스드 MR-MUF는 칩의 휨 현상 제어에도 탁월한 고온/저압 방식으로 고단 적층에 가장 적합한 솔루션이며, 16단 구현까지 순조롭게 기술 개발 중”고 말했다.

SK하이닉스는 HBM4에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 16단 제품을 구현할 예정이며, 하이브리드 본딩기술 역시 선제적으로 검토하고 있다고 최 부사장은 밝혔다.

SK하이닉스는 올해 4월 인디애나주 웨스트라피엣에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하기로 확정했다.

인디애나 공장에는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품이 양산된다. 인디애나는 미 중서부를 중심으로 한 반도체 생태계인 실리콘 하트랜드의 주요 거점으로 여겨진다.

SK하이닉스는 용인 클러스터 진척 상황도 설명했다.

김영식 제조기술 담당 부사장은 “SK하이닉스 첫 팹이 들어설 1단계 부지 조성 공사 진척률은 약 42%로 차질없이 일정 진행되고 있다”며 “용인 클러스터 SK하이닉스 첫 팹은 2025년 3월 공사 착수, 2027년 5월 준공 예정”이라고 말했다.

클러스터에는 미니팹도 건설된다. 미니팹에서 소부장 업체는 시제품을 실제 양산 환경과 비슷한 환경에서 검증할 수 있으며, 기술 완성도를 높일 수 있는 최상의 솔루션을 제공받게 된다.

김영식 부사장은 “약 9천억 원이 투자되는 미니팹 프로젝트에는 SK하이닉스가 반도체 클린룸과 기술 인력을 무상 제공하고 정부, 경기도, 용인시가 장비 투자와 운영을 지원하기로 했다”고 밝혔다. 김바램 기자

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