[비즈니스포스트] 삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)의 발열을 잡지 못해 제품을 엔비디아에 공급하지 못하고 있다는 해외 보도가 나왔다.

로이터는 24일 세 명의 소식통을 인용해 “삼성전자의 HBM이 발열과 소비전력 문제로 아직 엔비디아의 인증 테스트를 통과하지 못하고 있다”며 “이 문제는 현재 인공지능(AI)용 그래픽처리장치(GPU)에 가장 많이 사용되는 HBM3와 HBM3E 생산에 영향을 미친다”고 보도했다.
 
로이터 "삼성전자 HBM, 발열·전력 문제로 엔비디아 테스트 통과 못해"

▲ 로이터는 24일 발열과 소비전력 문제로 삼성전자의 고대역폭메모리(HBM)가 엔비디아 테스트를 통과하지 못하고 있다고 보도했다. 사진은 삼성전자의 12단 적층 5세대 HBM(HBM3E 12H). <삼성전자>


삼성전자는 로이터에 보낸 성명에서 “HBM은 고객 요구에 맞춰 최적화 과정이 필요한 맞춤형 메모리 제품이며, 고객과 긴밀한 협력을 통해 제품을 최적화하는 과정에 있다”고 해명했다.

엔비디아는 논평을 거부했다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 메모리반도체다. D램을 여러 개 적층하면 기반 면적당 훨씬 높은 용량을 확보할 수 있는데 이를 통해 대용량의 데이터 처리가 가능하다.

삼성전자 경쟁사인 SK하이닉스는 5세대 HBM인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 올해 3월 말부터 엔비디아에 공급을 시작했다.

SK하이닉스는 '어드밴스드 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF)' 공정을 적용해, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 개선했다고 설명했다. 나병현 기자