[비즈니스포스트] 삼성전자 전 부장이 중국에 반도체 기술을 유출한 혐의로 1심에서 징역 7년을 선고받았다.

서울중앙지법 형사합의25부(지귀연 부장판사)는 19일 산업기술보호법 위반 등 혐의로 구속기소된 전직 삼성전자 부장 김모씨에게 징역 7년과 벌금 2억 원을 선고했다.
 
'반도체 기술 중국에 유출' 삼성전자 전 부장, 1심서 징역 7년·벌금 2억 받아

▲ 반도체 기술을 CXMT에 유출한 혐의를 받는 삼성전자 전 부장이 1심 재판에서 징역 7년·벌금 2억을 선고받았다. <연합뉴스>


같이 기소된 삼성전자 협력업체 A사 직원 방모씨와 김모씨에게는 각각 징역 2년6개월과 징역 1년6개월을 선고했다.

삼성전자 부장으로 근무했던 김씨는 국가 핵심기술인 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단 유출해 중국 기업인 창신메모리(CXMT)에 넘겼다는 혐의를 받는다.

검찰은 2016년 김씨가 CXMT로 이직하면서 삼성전자의 반도체 핵심 기술 자료를 유출했고, 그 대가로 수백억 원의 금품을 수수한 것으로 보고 2024년 1월 구속기소했다.

1심 법원은 “김 전 부장은 국가 핵심기술에 해당하는 삼성전자 18나노 D램 공정 정보를 부정 취득해 이를 공개, 누설, 사용하는 데까지 나아갔다”며 “중국 업체가 18나노 D램 양산에 성공한 점을 감안했을 때 삼성전자가 입은 피해는 어마어마한 액수에 이를 것으로 쉽게 예상할 수 있다”고 판결했다.

재판부는 “김 전 부장은 범행을 주도하는 등 다른 피고인에 비해 죄질이 가장 안좋다”고 덧붙였다.

A사 직원인 방씨와 김씨는 회사의 반도체 장비 설계 기술자료를 무단유출했다는 사실이 인정됐다. 나병현 기자