삼성전자가 반도체 사업 부문 최고경영자 인사를 전격 단행한 것은 최근 고대역폭메모리(HBM) 등 주력 D램 사업에서 경쟁사에 뒤처진다는 평가가 나오는 등 초격차를 내세워온 회사의 기술 리더십이 점차 무너지고 있다는 회사 안팎의 평가가 나오는 것과 무관하지 않다는 관측이 나온다.
삼성전자는 이번 비정기 인사를 놓고 "이번 인사는 불확실한 글로벌 경영 환경하에서 대내외 분위기를 일신해 반도체의 미래경쟁력을 강화하기 위한 선제적 조치"라고 밝혔다.
신임 DS부문장에 위촉된 전영현 부회장은 삼성전자 메모리반도체 사업과 삼성SDI 배터리 사업을 글로벌 최고수준으로 성장시킨 인물이다.
2008년 50나노급 1GB D램을 개발한 공로로 산업통상자원부로부터 대한민국기술대상 대통령상을 받았으며 20나노와 18나노급 D램 미세공정 개발에도 크게 기여한 것으로 알려졌다.
과거 권오현, 김기남 전 삼성종합기술원 회장들과 함께 삼성전자 반도체 신화를 만든 주역 가운데 한 명으로도 꼽혔다.
2017년부터는 삼성SDI를 이끌며 배터리 분야의 ‘초격차’를 달성하기도 했다.
2024년 인사에서 삼성전자 미래사업기획단장에 임명되며 6년 만에 삼성전자에 깜짝 복귀해, 삼성전자와 전자관계사의 미래먹거리를 발굴하는 임무를 수행해왔다.
경계현 사장은 2022년부터 삼성전자 DS부문장으로서 반도체사업을 총괄하면서 쌓은 풍부한 경험을 바탕으로, 미래먹거리 발굴을 주도하는 역할을 맡게 됐다. 나병현 기자