[비즈니스포스트] 모건스탠리 연구원들이 삼성전자가 파운드리 미세공정에서 처음으로 도입한 게이트올어라운드(GAA) 기술이 반도체 산업의 ‘기념비적 변화’라는 평가를 내놨다.

22일 해외매체 CNBC에 따르면 모건스탠리 연구원들은 최근 보고서에서 “GAA 기술의 도입은 최첨단 시스템 반도체 아키텍처에 대한 기념비적 변화를 의미한다”며 “삼성전자는 (3나노 미세공정에서) 이미 반도체를 생산하고 있다”고 말했다.
 
GAA는 반도체 구성요소인 트랜지스터에서 채널과 게이트가 4면에서 맞닿게 하는 기술로 채널과 게이트 접촉면이 3면에 그치는 기존 ‘핀펫’ 방식보다 게이트의 통제력이 더 강화된다. 

이에 따라 전력을 적게 소모하고도 성능이 개선될 뿐만 아니라 누설전류 문제도 해결할 수 있다.

모건스탠리 연구원들은 “반도체 산업에 GAA기술이 도입되는 것은 성능과 전기효율 측면에서 근본적 변화를 가져올 것이다”며 “이런 변화는 2030년까지 반도체 제조장비 업체에 100억 달러 이상의 누적 가치를 지니는 사업기회를 제공할 것이다”고 바라봤다.

GAA기술이 반도체 생산과정에 도입되면서 수혜를 볼 기업으로는 미국 웨이퍼 제조장비 램리서치와 스위스 네덜란드 노광장비업체 AMSL이 꼽혔다.

모건스탠리 연구원들은 “램리서치가 2024년까지 GAA 기술 전환 흐름에 따라 막대한 이익을 얻을 것으로 기대한다”고 말했다.

극자외선(EUV) 노광장비를 통해 실리콘에 패턴을 생성할 수 있도록 만드는 ASML도 GAA 기술도입에 따라 주가가 오를 것으로 기대되는 기업으로 꼽혔다.

모건스탠리 연구원들은 “인텔, 삼성전자, TSMC 모두 단기적으로 GAA 기술로 전환하겠다는 의사를 밝혔다”며 “GAA기술 본격적 도입은 ASML뿐만 아니라 반도체 업계 전반에 긍정적 영향을 미칠 것이다”고 바라봤다.

반도체업계에 따르면 이미 GAA기술을 3나노 파운드리 미세공정에 도입한 삼성전자에 더해 TSMC와 인텔도 2024년 하반기에 파일럿 라인을 구축할 것으로 예상된다. 조장우 기자