▲ 중국 CXMT가 공개한 5세대 D램 기술이 삼성전자와 SK하이닉스의 최신 기술을 따라잡았다고 보기 어렵다는 외신의 평가가 나왔다. 중국 허페이에 위치한 CXMT 본사. <연합뉴스>
하지만 CXMT에서 공정 기술을 구분하는 기준이 반도체 업계와는 다르고 생산 수율도 파악되지 않아 실제로 한국 반도체 기술력을 따라잡았다고 보기는 어렵다는 평가가 나온다.
22일(현지시각) 미국 IT전문지 톰스하드웨어는 “CXMT의 5세대 D램 양산에는 허점이 있다”며 “삼성전자나 SK하이닉스와 동등한 수준의 기술이라고 보기 어렵다”고 보도했다.
CXMT는 5세대 공정을 처음으로 적용한 LPDDR5X 규격 모바일 D램을 20일 공개했다. LPDDR5X는 스마트폰과 태블릿 등 모바일 기기에서 사용하는 저전력 D램이다.
반도체 회로를 여러 단계에 걸쳐 그리는 ‘쿼드러플 패터닝’ 공정으로 11.95나노미터급의 미세공정을 구현했다는 설명이 이어졌다.
CXMT는 새 공정 기반의 D램이 기존 규격 제품보다 칩 하나당 데이터 용량을 50% 늘릴 수 있다며 이미 양산을 시작했다고 밝혔다.
다만 톰스하드웨어는 CXMT가 밝힌 11.95나노미터라는 수치가 일반적으로 D램 업계에서 통용되는 미세공정 기술의 기준과는 차이가 있다고 지적했다.
CXMT의 5세대 D램을 11나노대 미세공정 기반 제품이라고 표현하기 어렵다는 것이다.
삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 글로벌 D램 상위 업체들은 현재 10나노대 D램 공정을 활용하고 있다. CXMT가 이들과 경쟁을 의식해 최신 D램을 11나노대 기술로 홍보한 것으로 해석된다.
하지만 실제로는 아직 CXMT의 기술력이 이들을 따라잡고 있다고 판단할 근거는 충분하지 않다.
톰스하드웨어는 CXMT의 최신 규격 D램이 반도체 면적과 집적도, 소재 등 여러 측면에서 분명한 기술 발전을 보여줬다는 평가를 전했다.
그러나 새 공정은 반도체 제조 과정에서 난도가 높은 기술을 활용하는 만큼 수율을 확보하기도 어려워진다고 지적했다.
톰스하드웨어는 이에 따라 CXMT의 D램 원가 경쟁력도 아직 판단할 수 없다고 덧붙였다.
메모리반도체 특성상 생산 수율이 시장 경쟁에 중요한 요소기 때문에 이는 삼성전자 및 SK하이닉스와 맞대결을 벌일 때 치명적 약점이 될 수 있다.
톰스하드웨어는 결국 CXMT의 D램 기술력을 경쟁사들과 비교하려면 이번에 발표된 기술 사양 이외에 실제 수율과 전력 소모량 등 다른 정보가 더 공개되어야 할 것이라고 분석했다.
다만 톰스하드웨어는 “CXMT가 11.95나노 D램이라고 주장하는 기술을 선보인 것만 해도 큰 성과라고 판단할 수 있다”고 덧붙였다. 김용원 기자
