[비즈니스포스트] 중국의 7나노미터(㎚) 이하 미세공정 반도체 생산량이 2035년까지 연평균 46% 증가하면서 자급률을 빠르게 높일 것이라는 전망이 나왔다.

다만 첨단 노광장비 확보가 중국 반도체 산업 발전에 걸림돌로 남아 완전한 반도체 자급체제 구축에는 한계를 맞을 것으로 전망됐다.

24일 사우스차이나모닝포스트는 투자은행 골드만삭스의 보고서를 인용해 “중국에서 7나노 이하 공정을 활용한 반도체 웨이퍼 생산량이 2025년부터 2035년까지 연평균 46% 증가할 것”이라고 보도했다. 

골드만삭스는 같은 기간 중국 내 미세공정 반도체 수요 증가율 전망치를 연평균 17%로 제시했다. 

이에 따라 중국의 미세공정 반도체 자급률도 이론상 2025년 8%에서 2035년 66%까지 상승할 것으로 예상됐다.

골드만삭스는 “2035년 중국의 7나노 이하 반도체 웨이퍼 생산능력은 월 41만 장, 수요는 월 61만9천 장에 이를 것”이라고 덧붙였다.

중국 최대 반도체 위탁생산(파운드리) 업체인 SMIC가 2026년부터 2031년까지 매년 월 3만~5만 장의 미세공정 반도체 웨이퍼 생산능력을 추가한 뒤 2032~2035년에는 연간 월 2만 장씩 증설할 것이라는 전망도 이어졌다.

SMIC의 미세공정 반도체 수율(양품 비율)도 올해 23% 안팎에서 2030년 50%, 2035년에는 75%까지 높아질 것이라고 골드만삭스는 내다봤다. 

중국 내 반도체 생산 설비 투자는 2030년 820억 달러(약 113조3천억 원)에 이를 것으로 전망됐다. 골드만삭스가 2025년에 내놓은 전망치보다 약 79% 증가하는 수준이다.

다만 사우스차이나모닝포스트는 첨단 노광장비 수급 차질을 중국의 반도체 자립을 가로막는 핵심 변수로 꼽았다. 노광장비는 웨이퍼 위에 빛을 비춰 반도체 회로 패턴을 그려 넣는 장비다.

중국은 첨단 심자외선(DUV) 노광장비 수입을 대부분 네덜란드 ASML에 의존하고 있다. 하지만 고성능 DUV 및 이보다 발전한 극자외선(EUV) 노광장비는 미국 정부의 규제로 중국에 수출할 수 없다.

극자외선 노광장비는 주로 7나노 이하 미세공정 반도체 파운드리에 쓰이는 장비다.

사우스차이나모닝포스트는 “첨단 노광장비 국산화의 핵심 업체로 꼽히는 중국 국영기업 상하이마이크로일렉트로닉스(SMEE)조차 글로벌 선두 업체와 비교하면 한참 뒤처져 있다”고 평가했다. 이근호 기자