▲ 미국 컴퓨팅 기업 램버스가 공개한 고대역폭메모리(HBM) 세대별 성능 비교 표. < WCCF테크 > |
[비즈니스포스트] 삼성전자와 SK하이닉스의 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 성능에 관한 상세 정보가 공개됐다.
삼성전자와 SK하이닉스는 내년 HBM4 양산에 들어갈 계획이며, 엔비디아가 2026년 출시할 예정인 인공지능(AI) 반도체 ‘루빈’에 탑재될 전망이다.
미국 IT매체 WCCF테크는 미국 컴퓨팅 기업 램버스의 정보를 인용해 HBM4의 세부 성능을 공개했다.
WCCF테크는 "HBM4는 AI와 데이터센터 진화의 다음 장을 시작하는 것”이라며 “더 빠른 메모리 속도와 스택 당 더 높은 용량을 제공한다”고 보도했다.
램버스는 핀당 6.4Gb/s 이상의 속도를 제공하는 HBM4 컨트롤러를 발표했다. 이는 동일한 16단 D램 적층과 64기가바이트(GB)의 최대 용량을 제공하는 HBM3E보다 더 많은 대역 폭을 제공한다.
HBM4의 시작 대역폭은 1638GB/s로 평가된다. 이는 HBM3E보다 33%, HBM3보다 2배 더 큰 대역폭이다.
현재 HBM3E는 최대 9.6Gb/S 속도로 작동하며, 스택당 최대 1229GB/s 대역폭을 제공한다. HBM4는 최대 10Gb/s 속도와 인터페이스당 최대 2.56GB/s의 대역폭을 제공한다.
WCCF테크는 HBM4의 다른 기능으로 ECC(오류정정), RMW(읽기-수정-쓰기) 등이 있다고 보도했다.
SK하이닉스는 현재 최대 36GB 용량과 9.6Gbps 속도의 12단 HBM3E의 대량 생산에 들어갔다. 회사는 이달 HBM4의 시양산에 들어갈 것으로 예상된다.
삼성전자는 올해 4분기 중 HBM4 시양산에 돌입해 2025년 말 대량 생산에 들어갈 것으로 예상된다.
두 메모리 제조사의 HBM4는 2026년 출시 예정인 엔비디아의 AI 반도체 ‘루빈’에 탑재될 예정이다. 김호현 기자