[비즈니스포스트] 범용 D램 마진율이 고대역폭메모리(HBM)를 앞지르면서, 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM 생산, 가격 전략에도 변화가 있을 것으로 전망된다.

SK하이닉스는 HBM4(6세대) 생산량을 조절하며 '실리'를 챙기는 방안을 검토하고 있는 반면, 삼성전자는 HBM4 생산량을 빠르게 확대해 HBM 시장에서 주도권을 잡는 데 집중할 것으로 예상된다.

2025년 전체 D램 매출에서 HBM 비중이 10%대에 불과했던 삼성전자와 달리 SK하이닉스는 HBM 매출 비중이 40%를 넘었던 만큼, 각각 다른 방식으로 대응할 것으로 분석된다.

16일 반도체 업계 취재를 종합하면 최근 범용 D램의 가격 상승이 가팔라지면서, HBM을 생산하는 것보다 범용 D램을 생산하는 것이 더 높은 수익을 낼 수 있는 환경이 조성되고 있다.

범용 D램의 기가비트(Gb) 당 가격은 올해 1분기 기준 0.98달러로, HBM의 Gb당 가격 1.26달러보다 아직 낮다. 하지만 HBM 1개를 포기하면 범용 D램 3개를 생산할 수 있는 데다, 수율(완성품 비율) 차이까지 고려하면 이미 범용 D램의 마진이 HBM을 넘어섰다.

올해 1분기 범용 D램 가격은 전분기 대비 100% 상승했으며, 2분기에도 50% 가까이 추가 상승할 것으로 전망된다.

류형근 대신증권 연구원은 "범용 D램의 영업이익률이 상승하면서 HBM과 수익성(마진율) 격차가 15%포인트 이상 벌어진 것으로 추정된다"며 "범용 D램은 영업이익률이 이론적 상단인 90%까지 상승할 것"이라고 내다봤다.

이에 따라 SK하이닉스가 올해 HBM4 출하량을 당초 계획보다 소폭 줄일 수 있다는 관측이 나오고 있다.

범용 D램 수익성이 HBM을 넘어선 상황에서, 기존 D램 생산라인의 HBM4 생산라인 전환을 서두를 이유가 크지 않기 때문이다. SK하이닉스는 아직 HBM4의 엔비디아 품질 인증(퀄리티 테스트)을 진행하고 있다. 

게다가 HBM4가 탑재되는 엔비디아의 차세대 AI 칩 '루빈'의 출하량도 당초 예상보다 하향 조정되고 있는 추세다.

미국 투자회사 키뱅크캐피털은 최근 엔비디아 루빈의 2026년 생산량 전망치를 기존 200만 대에서 150만 대로 낮춰 잡았다.
  반면 삼성전자는 HBM4 생산량을 확대하는 데 초점을 맞추고 있다.

삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 HBM4 양산 출하에 성공했다고 밝히며, 당초 2027년 1분기로 예정했던 평택캠퍼스 4공장(P4) 건설 준공 시점도 2026년 4분기로 앞당겼다. P4 공장은 HBM4 제작을 위한 1c D램(10나노급 6세대) 생산라인 중심으로 구축된다.

또 삼성전자의 HBM4는 경쟁사보다 빠른 11.7Gbps(초당 기가비트)의 동작 속도를 갖춰, 엔비디아 '루빈' 최상위 모델에 탑재될 것으로 예상된다.

황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 지난 3월16일(미국 현지시각) 엔비디아 'GTC 2026'에서 "HBM 전체 생산 능력 가운데 HBM4가 차지하는 비중을 내년까지 50% 이상으로 확대할 것"이라며 "현재 가파르게 램프업(생산량 증대)을 하고 있고, 크게 문제는 없다"고 말했다.

삼성전자가 HBM4 증산을 서두르는 것은 당장의 수익성보다, HBM에서 SK하이닉스와 시장 점유율 격차를 줄이는 데 더 집중하고 있기 때문인 것으로 풀이된다.

시장조사업체 카운트포인트리서치에 따르면 2025년 4분기 SK하이닉스의 세계 HBM 시장 점유율은 57%, 삼성전자는 22%로 배 이상 차이가 났다.  

또 삼선전자의 2025년 전체 D램 출하량 가운데 HBM 비중은 3%에 그쳤고, HBM 매출 비중도 12%에 불과했다. 반면 같은 기간 SK하이닉스의 D램 대비 HBM 출하량과 매출 비중은 각각 15%, 44%에 달한 것으로 추산된다.

범용 D램은 가격 변동성이 크기 때문에 삼성전자 입장에서는 우선 HBM 사업에서 점유율을 높여야 유리하다고 판단한 것으로 보인다. 이와 달리 이미 HBM 비중이 높은 SK하이닉스는 HBM 생산량 확대를 서두를 필요가 없는 것이다. 

박유악 키움증권 연구원은 "삼성전자의 올해 2분기 HBM 출하량은 HBM4의 엔비디아 공급 증가로 지난해 2분기 대비 331% 증가할 것"이라며 "HBM4의 기술 경쟁력 우위를 점한 삼성전자에게는 점유율을 확대할 기회"이라고 말했다.

삼성전자와 SK하이닉스 모두 HBM4E(7세대)에서는 범용 D램 가격 상승 추세를 고려해, 더 공격적으로 가격을 책정할 것으로 예상된다.

범용 D램과 HBM의 수익성 역전 현상을 되풀이할 수 없기 때문이다. 게다가 HBM4E는 일반 DDR5 대비 웨이퍼 소모량이 4~5배에 달하는 것으로 알려졌다.

류형근 대신증권 연구원은 "HBM4E는 Gb당 평균 판매단가가 HBM4 대비 30% 이상 높아질 수 있다"며 "2027년에는 'HBM 제 값 받기' 노력을 강화해, HBM 단가가 올해보다 42% 상승할 것"이라고 내다봤다. 나병현 기자