[비즈니스포스트] 삼성전자가 중국의 빨라진 추격에 DDR4 D램 범용 메모리반도체 생산을 단계적으로 줄여 2027년 최종 종료키로 했다. 중국의 DDR4 대량 양산으로 수익성이 떨어지자, 범용 메모리 출하를 줄이고 HBM 등 고부가 D램 양산을 늘려 수익을 높이기 위해서다. 

전영현 삼성전자 반도체(DS) 부문장 부회장은 회사의 반도체 역량을 인공지능(AI) 산업과 관련한 DDR5(Double Data Rate 5), 고대역폭메모리(HBM), LPDDR5X(Low Power DDR5X) 등에 집중할 것으로 예상된다.

대만 디지타임스는 22일 소식통을 인용해 삼성전자가 ‘1y D램’ 공정을 활용한 DDR4 모듈의 생산을 올해 12월 종료할 것이라고 고객사에 통보했다고 보도했다.

구체적으로 1y 공정을 활용한 8GB와 16GB DDR4 SODIMM(Small Outline Dual In-line Memory Module)과 UDIMM(Unbuffered DIMM) 모듈 출하가 12월10일 종료될 예정이다. 이 제품 주문은 오는 6월까지만 받는다고 소식통은 전했다.

첨단 D램 공정은 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대), 1c(6세대) 순으로 개발됐는데, 세대를 거듭할수록 선폭이 미세해져 성능과 전력 소비 효율이 높아진다.

삼성전자는 2026년에는 3세대 1z 공정으로 제작하는 DDR4 생산도 중단하고, 2027년에는 모든 DDR4 생산을 완전히 중단할 계획인 것으로 전해졌다.

지난해 삼성전자 D램 매출에서 DDR4 D램이 차지하는 비중은 약 30%였다. 회사는 올해 DDR4 매출 비중을 10% 미만으로 줄이고 고부가 D램 비중을 늘릴 예정이다.

지난해 삼성전자의 1y D램은 전체 비트 출하량의 약 20%를 차지했지만, 올해 상반기에는 12%, 하반기에는 10% 미만으로 감소할 것으로 디지타임스는 예상했다. 지난해 30% 이상을 차지했던 1z 공정은 올해 20% 초반으로 감소할 것으로 전망된다.

전영현 부회장은 첨단 4세대 1a 공정과 5세대 1b 공정, 6세대 1c 공정에 집중하며 고부가 DDR5, HBM, LPDDR5X 등에 투자를 늘릴 전망이다.

일각에서는 올해 말까지 삼성전자의 5세대 1b D램 공정의 비트 출하량 비중은 40%를 초과할 것으로 예상하고 있다. 삼성전자는 올해 초 1b 공정의 안정화에 성공한 것으로 알려졌다.

전 부회장은 직접 엔비디아의 미국 본사를 방문해 1b 공정으로 만든 DDR5를 적층해 제작한 5세대 HBM3E 제품을 선보이기도 했다. 

또 삼성전자는 지난 2월 미국 샌프란시스코에서 열린 국제고체회로학회(ISSCC)에서 1b 공정으로 제작한 가장 빠른 속도의 ‘LPDDR5X 울트라프로’를 공개했다.
 

삼성전자의 이같은 움직임은 중국의 빨라진 범용 D램 추격 때문인 것으로 분석된다. 중국이 저가 경쟁력을 앞세워 대량 생산에 돌입하면서, 낮은 기술 수준의 D램 공정을 적용한 범용 D램에서 경쟁력을 잃어가고 있기 때문이다.

시장조사업체 옴디아에 따르면 중국 창신메모리(CXMT)의 올해 D램 생산량 규모는 웨이퍼 기준 273만 장으로, 전년보다 68% 증가할 것으로 예상된다. 이는 당초 전망치 20%보다 3배 이상 늘어난 수치다.

게다가 CXMT의 연 273만 장 웨이퍼 생산은 2위 D램 제조사인 SK하이닉스 생산량의 절반 수준이다. 3위 제조사인 마이크론과는 비슷한 생산 규모다. 

글로벌 D램 시장에서 중국 점유율은 빠르게 증가하고 있다. 2020년 0% 수준이었던 중국 메모리 제조사 CXMT의 D램 점유율은 지난해 5%까지 늘었다. 대만 시장조사업체 트렌드포스는 CXMT의 올해 D램 점유율은 12%까지 늘어날 수 있다고 전망했다.

댄 허치슨 테크인사이츠 부회장은 영국 파이낸셜타임스와 인터뷰에서 “CXMT의 시장 점유율은 아직 낮지만, 빠른 성장 속도로 ‘스노볼 효과’를 만들고 있다”며 “이는 메모리반도체에서 한국이 일본을 밀어낸 방식”이라고 분석했다.

한편 삼성전자가 고부가 D램으로 전환을 가속하고 있지만, 속도가 경쟁사와 비교해 느리다는 평가도 나오고 있다.

SK하이닉스의 1b 공정 비중은 지난해 말 이미 20%를 넘었으며, 올해는 50%를 초과할 것으로 예상된다. 또 지난해 8월 세계 최초로 6세대 1c 공정을 활용한 DDR5 개발에도 성공했다. 김호현 기자