[비즈니스포스트] TSMC가 2나노 공정 반도체 양산 일정이 애초 2025년에서 2026년으로 늦춰질 수 있다는 해외매체 보도가 나왔다.

글로벌 IT매체 톰스하드웨어는 21일 테크뉴스를 인용해 TSMC가 부진한 수요를 감안해 대만 북부 신추바오산에 위치할 2나노 공정 팹(fab) 건설을 늦출 필요가 있다는 판단을 한 것으로 보인다고 보도했다.
 

TSMC는 올해 8월 2나노 공정 반도체 개발 및 구현 계획을 알린 바 있다.

TSMC는 2나노 공정 반도체를 제조하기 위해 대만 북부의 신추 바오산, 중부의 타이중 중커, 남부의 가오슝 난지에 3개의 새로운 팹을 건설하고 있다.

TSMC는 당초 2나노 반도체를 2025년 양산하고 2024년에는 시제품을 생산한다는 구상을 갖고 있었다.

전자업계에 따르면 3개의 2나노 공정 팹 가운데 신추바오산 팹이 연구개발(R&D)센터 옆에 위치하고 있기 때문에 중추적인 역할을 할 것으로 해석된다.

톰스하드웨어는 소식통을 인용해 TSMC의 고객들이 현재 2나노 공정 반도체 주문과 관련해 명확한 의사를 보이지 않고 있어 이와 같은 수요부진이 TSMC로 하여금 2나노 공정 팹 건설에 신중을 기하게 만들고 있다고 바라봤다.

톰스하드웨어는 이에 더해 TSMC가 2나노 공정 팹 건설을 늦추는 배경에 새로운 공정기술인 GAA(게이트 올 어라운드)기술을 적용하는데 어려움을 겪고 있을지도 모른다는 관측도 제기했다.

게이트올어라운드(GAA)는 채널과 게이트가 4면에서 맞닿게 하는 기술이다. 채널과 게이트 접촉면이 3면에 그치는 기존 ‘핀펫’ 방식보다 게이트의 통제력이 더 강화돼 전력을 적게 소모하고도 성능이 개선될 뿐만 아니라 누설전류 문제도 해결할 수 있다. 

톰스하드웨어는 TSMC의 2나노 일정 지연이 삼성전자에게 기회로 작용하게 될 수 있다는 이야기도 흘러나온다고 전했다.

삼성전자는 이미 3나노 공정에서부터 GAA기술을 적용한 바 있어 이런 분석에 힘을 싣는다.

시장조사기관 트렌드포스는 TSMC가 현재 2나노 팹 건설이 계획된 일정에 따라 진행되고 있다는 점을 알려 이런 풍문에 대응하고 있다고 바라봤다. 조장우 기자