삼성전자가 14나노미터 D램 양산에 극자외선(EUV) 공정을 도입했다.

삼성전자는 최근 극자외선 공정을 도입한 14나노 D램의 양산을 시작했다고 12일 밝혔다.
 

14나노 D램은 현재 D램 업계에서 회로 선폭이 가장 미세한 제품이다. 삼성전자는 극자외선 공정을 적용해 제품 성능뿐만 아니라 생산성도 높였다고 설명했다.

삼성전자는 5개의 D램 레이어(층)에 극자외선 공정을 도입했다. 여러 개의 레이어에 극자외선 공정을 적용해 14나노 D램을 생산하는 곳은 삼성전자뿐이다.

삼성전자는 DDR5 규격의 D램에 극자외선 공정을 가장 먼저 적용해 DDR5 D램의 대중화를 선도하기로 했다.

DDR5 D램은 기존 DDR4 D램보다 속도가 2배 이상 빠르다.

최근 인공지능이나 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 등 시장에서 DDR5 D램의 수요가 커지고 있다.

삼성전자는 이번 공정으로 단일 칩 기준 최대 용량인 24GB D램까지 양산하겠다는 계획도 세웠다. 이를 통해 고용량 데이터시장 수요에 적극 대응하기로 했다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 전무는 “삼성전자는 업계에서 가장 먼저 여러 개의 레이어에 극자외선 공정을 적용해 업계에서 가장 미세한 14나노 공정을 구현했다”며 “고용량 고성능뿐만 아니라 높은 생산성까지 갖춘 D램으로 빅데이터시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급하겠다”고 말했다. [비즈니스포스트 강용규 기자]