이는 메모리반도체 점유율 하락과 파운드리 사업 부진 타개를 위한 분위기 쇄신 차원의 인사로 판단된다.
LG반도체 책임연구원으로 메모리 시장에 입문한 전영현 부문장은 1960년생으로 2000년 삼성전자 메모리사업부에 입사해 D램 5팀장 상무(2002년), D램 개발실장(2009), 메모리 전략마케팅팀장 부사장(2012~2014년), DS부문 메모리사업부장 사장(2014~2017년)을 역임했다.
2017년부터 삼성SDI 사장, 대표이사를 거쳐 2024년 현재까지 미래사업기획단장과 삼성종합기술원(SAIT) 원장을 겸임했다.
전영현 부문장은 전자공학을 전공(카이스트 전기전자공학 석, 박사)한 메모리 엔지니어 출신으로, 보수적 성향의 기존 DS부문장과 달리 신기술의 선제적 개발과 기술 경쟁력을 최우선시 하는 것으로 알려져 있다.
김 연구원은 “전 부문장은 향후 HBM 중심의 메모리 신제품 개발과 파운드리 선단 공정(2, 3나노) 수율 개선에 중점을 둘 것으로 예상된다”며 “따라서 이번 DS부문장 교체의 원포인트 인사는 삼성전자 반도체 사업 분위기 쇄신의 전환점을 마련할 것으로 전망된다”고 바라봤다. 나병현 기자