[비즈니스포스트] 한미반도체가 6세대 고대역폭메모리(HBM) 'HBM4'의 반도체 적층 높이 완화에 따른 최대 수혜주가 될 것으로 전망됐다.

박주영 KB증권 연구원은 11일 “열압착(Thermal Compression.TC) 본딩 장비(본더) 대장주인 한미반도체의 독주가 최소 2년 이상 지속될 것”이라며 “올해 2월 SK하이닉스가 한미반도체 TC 본더를 사용해 12단 HBM3E를 엔비디아에 샘플 공급한 것으로 추정되며, 2년 뒤 상용화 예정인 HBM4에서도 한미반도체 TC 본더를 사용할 가능성이 높아졌다”고 분석했다.
 

국제반도체표준협의기구(JEDEC)는 HBM4 적층 높이를 775마이크로미터(μm)로 완화하기로 결정했다.

8단·12단 HBM3E 적층 높이인 720μm에서 16단을 적층하기에는 기술적 한계에 봉착했기 때문이다. 

높이가 완화된 만큼 향후 기술 방향성은 HBM3E 생산 기술을 HBM4에서 고도화하는 방향으로 진행될 것으로 전망된다. 따라서 SK하이닉스는 HBM4에서도 '어드밴스드 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF)' 패키징 공정을 쓸 것으로 예상되고 있다.

MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정으로, 한미반도체의 ‘TC 본더’가 활용된다.

TC 본더는 열 압착 방식으로 가공이 끝난 칩을 회로기판에 부착하는 장비로, HBM의 수직 적층 패키징에 필수적이다.

HBM4 높이 완화 결정으로 하이브리드 본더가 TC 본더를 대체할 가능성은 줄어든 것으로 파악된다.

그동안 720μm 높이에서 16단 적층을 위해서는 마이크로범프 없이 구리와 구리를 직접 붙이는 ‘하이브리드 본딩’ 기술이 도입될 것으로 예상됐다. 그러나 높이가 완화된 만큼 MR-MUF와 비전도성접착필름(NCF) 기술 모두 사용 가능한 TC 본더가 HBM4 생산에도 적용될 가능성이 높아졌다.

한미반도체의 주요 고객사 SK하이닉스는 2024년 후공정 패키징에 1조3천억 원을 투자한다는 계획을 세웠고, 2025년 HBM 생산을 위한 M15X 공장 완공에 따른 추가 장비 발주도 예상된다. 다른 HBM 제조사로의 고객사 확장 가능성도 존재한다.

박 연구원은 “HBM 세대가 거듭할수록 고도화된 TC 본더가 필요한 만큼 HBM4에서도 신규 장비 발주가 지속될 것”이라며 “한미반도체의 지속적인 수혜가 기대된다”고 말했다. 나병현 기자