삼성전자가 하반기 메모리반도체 투자를 신중하게 진행할 것으로 예상됐다.

도현우 NH투자증권 연구원은 31일 “삼성전자가 계획했던 하반기 메모리반도체 투자는 보수적으로 집행될 전망”이라고 내다봤다.
 

도 연구원은 삼성전자, SK하이닉스 등 메모리업체가 반도체 수급을 개선하기 위해 신규투자를 보수적으로 집행할 것으로 내다봤다.

삼성전자가 중국 시안2라인의 낸드 투자는 계획대로 집행하지만 평택2라인의 D램 추가 투자는 당분간 중지할 것으로 파악됐다.

도 연구원은 최근 메모리반도체 수급이 악화하고 있어 삼성전자가 투자를 보수적으로 전환했다고 판단했다.

그는 “하반기 이후 글로벌 초대형 데이터센터 기업의 투자가 둔화되고 있다”며 “스마트폰용 메모리는 용량이 작은 중저가 제품 위주로 출하가 개선될 것”이라고 말했다.

삼성전자는 30일 평택2라인이 가동을 시작했다고 발표했다. 

극자외선(EUV) 공정을 적용한 3세대 10나노(1z) 저전력(LPDDR5) D램이 평택2라인의 첫 생산품목이다. 

도 연구원은 “2023년까지 웨이퍼 기준으로 모두 20만 장 이상 규모의 D램, 낸드, 파운드리 생산능력이 채워질 계획”이라고 말했다. [비즈니스포스트 김디모데 기자]