[비즈니스포스트] 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산)가 2나노 첨단 공정에서 빅테크 기업 수주가 절실한 가운데 도널드 트럼프 미국 행정부의 ‘인텔 밀어주기’로 사업에 어려움을 겪을 수 있다는 전망이 나온다.

엔비디아와 브로드컴은 각각 게이밍용 그래픽처리장치(GPU)와 인공지능(AI) 칩 제작을 인텔 파운드리에 맡길 가능성이 높아졌다는 관측이다. 또 인텔은 대만 UMC와 협력으로 애플 스마트폰용 통신 모뎀 칩 수주까지 이어질 수 있다는 관측도 제기된다.
 

27일 반도체 업계 취재를 종합하면 인텔 파운드리가 미국 빅테크 기업들의 반도체 위탁생산 수주를 대량으로 확보할 가능성이 제기된다.

유럽 금융증권사 유니언뱅크스위스(UBS)의 티모시 아쿠리 연구원은 "인텔 파운드리가 엔비디아와 브로드컴 수주에 가까워지고 있으며, 18A(1.8나노급) 공정 기술력도 발전시키고 있다"고 분석했다.

특히 엔비디아는 인텔 파운드리가 개발하고 있는 2나노급 저전력 기술인 ‘18AP’ 공정으로 자사의 게이밍 그래픽칩셋(GPU)을 제작할 가능성이 높다고 전망했다. 게이밍 GPU는 기업이 아닌 일반 소비자들이 사용해 높은 전력 효율이 중요하기 때문에 인텔 저전력 18AP 공정을 고려하는 것으로 풀이된다.

브로드컴은 자사가 설계한 빅테크 기업들의 맞춤형 AI 반도체(ASIC)의 제작을 인텔 파운드리에 맡기는 것을 고려하고 있는 것으로 전해졌다.

인텔은 대만 2위 파운드리 기업인 UMC와 협력으로 애플 스마트폰용 모뎀 칩 수주 가능성도 나오고 있다. 인텔과 UMC는 지난 1월25일 12나노 공정 파운드리 협력을 발표했다.

아쿠리 연구원은 “인텔과 UMC 파트너십은 TSMC에 이어 애플의 보조 칩 공급원으로 자리매김할 수 있으며, 향후 애플 제품을 수주할 잠재력이 있다”고 설명했다.

비록 낮은 기술력이 필요한 12나노 공정 협력이지만, 추후 10나노 이하 공정에서 인텔 협력까지 이어질 가능성도 나오고 있다. 

미국 빅테크 기업들이 인텔 파운드리에 주목하는 이유는 트럼프 미국 행정부 압박이 작용한 것이란 해석이 나온다. 트럼프 대통령은 자국 내 반도제 제조 산업을 키우기 위해 노골적 인텔 파운드리 지원책을 고심하고 있다.

TSMC는 미국 정부로부터 인텔의 지분투자, 기술이전 등의 압박을 받고 있는 것으로 전해졌다. 미 행정부는 인텔을 겨냥한 추가 반도체 지원도 고심하고 있는 것으로 알려졌다. 미국 제조 압박을 위해 수입 반도체에 25%의 관세 부과도 추진 중이다.

이에 따라 삼성전자 파운드리 사업부는 갈수록 불리한 판세에 놓일 것이란 분석이 나온다. 

3나노 공정에서 주요 고객사를 TSMC에 빼앗기며, 2나노 공정에서 반전을 노리고 있었는데, 빅테크 기업들의 시선이 인텔 파운드리로 향하고 있기 때문이다.

특히 인텔 파운드리가 엔비디아의 게이밍 GPU 수주를 따낼 가능성이 높아진 것은 삼성전자 파운드리에 뼈아픈 타격이 될 것으로 보인다.
 

지난해만 해도 엔비디아는 공급망 다각화와 지정학적 위험에 대처하기 위해 게이밍 GPU 생을 삼성전자 파운드리에 맡기는 것을 고려했다. 

지난해 10월 미국 IT매체 더인포메이션은 내부 소식통을 인용해 “엔비디아는 최신 AI 칩보다는 새로운 게임 칩 제조를 위해 삼성과 파트너십을 모색하고 있다”고 보도했다.

엔비디아와 브로드컴, 애플 외에도 미국 빅테크 기업들이 AI 칩 제조를 위해 인텔 파운드리를 고려할 수 있다는 관측도 나온다.

미국 빅테크들은 TSMC가 독점하고 있는 파운드리 산업에서 생산 다각화의 필요성을 느끼고 있는데, 실질적으로 가능한 대안은 인텔과 삼성전자 파운드리뿐인 상황이다. 

하지만 미국 행정부가 압박을 이어가는 상황에서 삼성전자와 인텔의 첨단 파운드리 기술력 수준이 유사하다면, 인텔을 우선 고민할 가능성이 높아진 것으로 분석된다. 

다만 인텔의 빅테크 수주는 18A 공정 완성도에 따라 달라질 것으로 보인다. 일각에서는 2나노급으로 알려진 인텔의 18A 공정 기술력이 TSMC의 3나노 수준에 머물고 있다고 분석하고 있다.

파운드리 성능 평가 기준 가운데 하나인 ‘로직 밀도’ 수치를 보면, 인텔 18A 공정은 184.21 수준인 것으로 알려졌다. TSMC의 향상된 3나노 공정인 N3E 공정의 로직 밀도는 189.57이다. 삼성전자의 3나노 SF3-3GAP 공정은 182.75 수준이다. 김호현 기자