[비즈니스포스트] 삼성전자와 SK하이닉스 반도체 기술을 중국에 유출한 협력사 부사장이 2심에서도 실형을 받았다.

서울고등법원 형사7부(이재권 부장판사)는 18일 산업기술보호법·부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 재판에 넘겨진 무진전자 부사장 신씨에게 1년6개월의 징역을 선고했다.
 

1심 재판부가 신 씨에게 선고한 징역 1년보다 더 무거워진 것이다.

1심에서 징역형의 집행유예를 선고받은 연구소장 등 다른 직원 3명도 징역 1년~1년6개월의 실형을 받았다.

무진전자는 1심의 벌금 4억 원보다 많은 벌금 10억 원을 선고받았다.

피고인들의 형이 무거워진 것은 1심에서 무죄로 본 SK하이닉스 기술유출 혐의를 항소심은 유죄로 판단했기 때문이다.

신씨 등은 SK하이닉스와 협업하며 알게 된 하이케이메탈게이트(HKMG) 반도체 제조 기술과 세정 레시피를 2018년경부터 중국 반도체 경쟁사로 유출한 혐의를 받는다.

HKMG 기술은 D램 반도체 속도를 높이고, 소모 전력을 줄이기 위해 전도율이 높은 신소재를 사용한 반도체 제조공정 기술이다.

또 이들은 삼성전자와 자회사인 세메스의 전직 직원들을 통해 몰래 취득한 세메스의 초임계 세정장비 도면을 활용해 중국 수출용 장비를 개발한 것으로 드러났다. 

초임계 세정장비는 초임계(액체와 기체를 구분할 수 없는 상태) 이산화탄소를 이용해 웨이퍼를 건조하는 장비다. 나병현 기자