[비즈니스포스트] 미국 마이크론이 5세대 고대역폭메모리 'HBM3E' 양산을 예상보다 빠르게 진행하면서 HBM 경쟁이 격화할 것이란 전망이 나왔다.

노근창 현대차증권 연구원은 4일 “시장은 마이크론이 올해 하반기 정도에 HBM3E를 공급할 수 있을 것으로 예상했지만, 공급 시기가 예상을 크게 앞지르고 있다”며 “이는 지리적 배경이 일부 작용했을 것”이라고 분석했다.
 

마이크론은 올해 2월 HBM3E(8단) 시장 전망보다 훨씬 이른 올해 상반기부터 HBM3E를 공급하겠다고 앞서 밝혔다.

이는 전체 D램의 62%를 대만에서 생산하고 있는 덕분으로 분석됐다.

HBM의 경우 대만 TSMC의 ‘칩 온 웨이퍼 온 서브스트레이트'(CoWos)로 최종 패키징 돼 고객사에 공급된다는 점에서, 대만에서 D램을 생산하는 마이크론이 지리적 이점을 얻었다는 것이다.

SK하이닉스가 아직까지 HBM 선두 주자를 유지하고 있는 가운데 최근 삼성전자는 세계 최초로 싱글스택 12단 HBM3E 개발에 성공하는 등 세계 D램 회사들의 HBM 경쟁은 갈수록 심화하고 있다.

다만 TSMC에 대한 CoWos 의존도가 점차 줄어들면 HBM 후발 주자에게도 기회가 열릴 것으로 보인다.

연초부터 외주반도체조립테스트(OSAT) 기업들의 CoWos 생산이 본격 가동되고 있으며, 인텔과 삼성전자도 CoWos 생산능력을 확충하고 있다.

노 연구원은 “엔비디아의 TSMC ‘CoWos’ 패키징 의존도는 점차 낮아질 것으로 보이며, CoWos 다변화가 후발 HBM 업체들의 시장 침투에 긍정적으로 작용할 가능성이 있다”며 “인공지능(AI) 반도체와 한국 메모리반도체 업종에 대해 긍정적 시각을 유지한다”고 말했다. 나병현 기자