[비즈니스포스트] 삼성전자와 SK하이닉스가 중국 공장에서 일정 기술 수준 이상의 반도체를 생산하지 못하게 될 것으로 보인다.

연합뉴스에 따르면 앨런 에스테베스 미국 상무부 산업안보 차관은 23일(현지시각) 한국국제교류재단(KF)과 전략국제문제연구소(CSIS)가 워싱턴DC에서 개최한 한미 경제안보포럼에서 삼성전자와 SK하이닉스의 중국 반도체장비 수출통제 1년 유예가 끝난 뒤 조치에 대해 “기업들과 협의하고 있다. 기업들이 생산할 수 있는 반도체 수준에 한도(cap on level)를 둘 가능성이 크다”고 밝혔다.
 

에스테베스 차관은 "지금 기업들이 어떤 '단'의 반도체를 생산하고 있다면 우리는 그 단의 일정 범위보다 더 높은 수준의 반도체를 생산하지 못하게 할 것"이라고 설명했다.

그는 “중국이 어떻게 행동하느냐에 달렸지만 우리는 한국 기업들과 심도 있는 대화를 하고 있다”고 덧붙였다.

삼성전자와 SK하이닉스는 최근 낸드플래시에서 200단 이상의 초고적층 제품을 개발, 생산하기 시작했는데 중국 공장에서는 이와 같은 첨단 반도체 생산에 한계 지점을 설정하도록 조치하겠다는 것으로 풀이된다. 기술 한도 지점과 관련해서는 향후 논의가 진행될 것으로 예상된다.

미국 상무부는 2022년 10월 중국 내에서 생산되는 18나노 이하 D램, 128단 이상 낸드, 14나노 이하 로직반도체에 대한 장비 수출을 통제한다고 발표했다.

다만 삼성전자와 SK하이닉스, 대만 TSMC는 신규 규제로 인해 필요한 별도의 라이선스 없이도 장비를 공급받을 수 있도록 1년의 유예기간을 받았다.

삼성전자는 현재 중국 시안 공장에서 월25만 장(웨이퍼 단위) 규모의 낸드플래시를 제조한다. SK하이닉스는 중국 다롄 공장에서 낸드플래시를 월 8만 장, 우시 공장에서 D램을 월 13만 장씩 생산하고 있다. 나병현 기자