경기도가 초고속통신에 사용되는 시스템반도체 소재 국산화를 추진한다.

경기도는 24일 한국나노기술원과 함께 2022년까지 모두 30억 원의 예산을 들여 ‘시스템반도체 국산화 연구지원사업’을 추진한다고 밝혔다.
 

초고속통신에 사용되는 인듐갈륨비소(InGaAs) 에피웨이퍼와 이를 이용한 초고속 통신소자(HEMT)를 개발하기로 했다.

인듐갈륨비소 에피웨이퍼는 갈륨비소, 실리콘웨이퍼 등 물질의 표면에 별도화합물 반도체층을 성장시킨 시스템반도체 소재다. 현재 사용되는 실리콘 웨이퍼보다 다양한 기능과 성능을 구현할 수 있다.

5G, 사물인터넷(IoT), 자율주행차 등 ‘4차산업혁명’ 실현을 위한 핵심부품을 제작하는데 사용되는 소재인 만큼 수요가 늘어날 것으로 전망된다.

하지만 높은 개발비용과 연구인력, 인프라 등이 필요해 중소기업 차원의 개발이 어려워 미국, 일본 등 수입에 의존하고 있다.

경기도는 앞으로 3년 동안 개발비 지원을 통해 한국나노기술원이 인듐갈륨비소 에피웨이퍼 및 초고속통신소자 기술을 개발하도록 한 뒤 도내 중소기업과 대학, 연구소 등에 해당 기술을 제공해 시스템반도체 소재 독립 및 중소기업 매출 증가를 도모하기로 했다.

최병길 경기도 과학기술과장은 “수입에 의존하고 있는 시스템반도체 소재 독립을 도모할 수 있는 것은 물론 중소기업의 매출도 크게 증가할 것으로 기대된다”며 “반도체 기술 독립을 위해 해외의존도가 높은 소재 부품의 국산화 연구 사업을 지속적으로 발굴해 나갈 것”이라고 말했다. [비즈니스포스트 김남형 기자]