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[Who Is ?] 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장
김디모데 기자  Timothy@businesspost.co.kr  |  2021-03-09 10:20:00
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▲ 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장.

◆ 생애

이정배는 삼성전자 메모리사업부장 사장이다.

D램과 낸드 등 삼성전자의 주력사업인 메모리반도체사업을 총괄하고 있다.

1967년 2월27일(음력) 태어나 양정고등학교와 서울대학교 전자공학과를 졸업했다.

서울대 대학원에서 전자공학 석사학위와 박사학위를 받았다.

삼성전자에 입사해 D램설계팀장, 상품기획팀장, 품질보증실장, D램개발실장을 지냈다.

메모리사업부가 삼성전자의 현금 창출원(캐시카우) 역할을 한다는 점을 고려할 때 D램과 낸드사업에서 높은 수익을 내는데 역점을 두고 있다.

삼성전자 내부에서 경영진 세대교체의 신호로 여겨지고 있다. 전임자인 진교영 전 사장보다 5살 젊고 진 전 사장이 메모리사업부장을 맡았을 때와 비교해도 2살 젊기 때문이다.

후배들에게 기본적 원리와 이치를 벗어나지 않고 최대한 간단하게 반도체를 설계하도록 조언한다. 

◆ 경영활동의 공과

△메모리사업부장 발탁
이정배는 2020년 12월 삼성전자 메모리사업부장 사장에 올랐다. 종합기술원장으로 이동한 진교영 전 메모리사업부장의 후임이다.

삼성전자는 이정배가 메모리사업부장으로서 D램뿐만 아니라 낸드, 솔루션 등 모든 메모리 제품에서 경쟁사와 초격차를 확대해 갈 것으로 기대했다.

이정배는 메모리사업부를 이끌어 2021년 4세대 10나노급(1α) D램 연내 양산과 7세대 V낸드 출시 등을 추진하고 있다. 

이정배는 2021년 2월 양향자 K뉴딜위원회 부위원장 등 더불어민주당 의원들과 장석영 과학기술정보통신부 차관이 평택캠퍼스를 방문했을 때 박학규 DS부문 경영지원실장, 이인용 CR담당 사장 등과 함께 참석해 반도체 패권 유지방안 등을 논의하기도 했다.

이정배는 D램개발실장으로서 2019년 세계 최초 3세대 10나노급(1z) D램 개발, 세계 최초 12기가비트(Gb) LPDDR5 모바일 D램 양산 등의 공로를 세웠다.

극자외선(EUV) 공정을 적용해 D램 양산체계를 갖추는 데도 기여했다. 2020년 3월 극자외선 공정을 적용해 생산한 1세대 10나노급(1x) DDR4 D램 모듈 100만 개를 공급했다.

2020년 8월 세계 최대 규모 반도체공장인 평택2공장에서 출하한 첫 제품으로 극자외선 공정을 적용한 16기가비트 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램 양산을 내놓기도 했다.
▲ 삼성전자 반도체사업 실적.
△낸드 제품 출시 전략 주도
상품기획팀장 시절에는 D램뿐 아니라 낸드 상품전략을 이끌면서 전문분야를 메모리 전반으로 넓혔다.

이정배는 2015년 3월 3비트 낸드플래시에 기반한 128기가바이트(GB) 스마트폰용 메모리 출시를 주도해 스마트폰 대용량화로 가는 발판을 마련했다.

프리미엄 스마트폰에는 고성능 유니버설플래시스토리지(UFS)를 적용하고, 보급형 스마트폰에는 임베디드멀티미디어카드(eMMC) 규격을 적용하는 투트랙 전략으로 대용량 스마트폰시장을 공략했다.

2016년에는 세계 최초로 256기가바이트 UFS 외장형 메모리 카드를 공개했다. 세계 최초 15.36테라바이트(TB) 서버용SSD 출시와 세계 최초 512기가바이트 최소·최경량 PC용 SSD 출시 등도 이정배의 손으로 이뤄졌다.

저전력 차세대 메모리에서 성장동력을 찾는 '그린메모리' 전략도 이끌었다. 2014년 5월 홍콩에서 열린 투자자포럼에서 글로벌 데이터 사용량이 폭발적으로 늘어나고 있지만 전력과 서버용량이 이를 따라가지 못할 수 있다며 저전력 고용량 그린메모리가 주목받을 것으로 예상했다.

이정배는 이에 따라 그린 D램으로 DDR4를 소개했다. 기존 DDR3보다 전력소모는 15% 줄이고 성능은 39% 개선한 제품이다. 또 10나노급 D램과 3차원 V낸드를 비롯해 M램, P램 등의 차세대 혁신 메모리가 주축을 이루는 시대를 전망했다.

이정배는 이런 각종 성과를 바탕으로 이재용 삼성전자 부회장 구속 등의 여파로 뒤늦게 최소폭의 인사가 이뤄진 2017년 5월 부사장으로 승진해 품질보증실장을 맡았다.

최시영 시스템LSI사업부 제조센터장, 황성우 종합기술원 연구센터장 등 DS부문 부사장 승진자 5명 중에 최연소였다.

△차세대 D램 표준화에 기여
메모리사업부 D램설계팀 시절 DDR1·DDR2·DDR3 등 차세대 D램 표준화 및 양산제품을 개발하는 데 참여했다. 

이정배는 삼성전자의 D램 사업 주도권 유지를 위해 선행기술 개발에 뛰어들고 기술을 특허화했다. 이 공로로 산업포장을 받기도 했다.

특히 1997년 미국전자공업협회(EIA)의 하부조직인 반도체표준협의기구(JEDEC)에 참가해 SD램 이후 차세대 D램 표준을 결정하는 과정에서 인텔이 주도하는 램버스D램(RD램)이 아닌 삼성전자가 제안한 DDR D램을 표준으로 채택하는 성과를 냈다.

1년 넘게 논의한 끝에 HP가 삼성전자 표준을 지지하면서 DDR이 차세대 표준이 됐다. 이번 일은 삼성전자가 반도체 공정분야뿐 아니라 설계분야에서도 리더십을 확보할 수 있는 계기가 됐다고 평가했다.

삼성전자는 차세대 D램 표준화 기술 개발로 2001년부터 2005년까지 모두 29조5천억 원의 매출효과를 거뒀다. 직접 매출 증대효과 외에도 기술사용료 등 간접적 매출효과도 컸던 것으로 여겨졌다.

이정배는 D램설계팀장을 맡던 2012년에는 초당 1066메가비트(Mb)의 모바일D램 최고속도를 구현한 30나노 4기가비트(Gb) LPDDR 모바일D램으로 12주차 IR52 장영실상을 수상하기도 했다.

◆ 비전과 과제
▲ 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장의 D램연구팀 수석연구원 시절 모습. <'파로학번이 공오학번에게'(2005) 중>
이정배는 삼성전자의 핵심사업인 메모리사업부를 이끌어 경쟁사들과 초격차를 유지하며 1위 지위를 지켜나가야 한다.

삼성전자는 2020년 D램시장 점유율 43.1%로 1위에 오른 것으로 추정되나 2018년 43.9%, 2019년 43.7%보다는 후퇴하는 추세다. 낸드 점유율 역시 2020년 3분기 기준으로 33.1%로 2019년 3분기 33.5%보다 뒷걸음질했다.

후발주자들과 여전히 차이는 존재하나 최근 기술격차가 빠르게 좁혀지는 것으로 파악된다. 특히 차세대 제품군에서 경쟁자들의 추격이 거세다. 미국 마이크론이 삼성전자보다 먼저 4세대 10나노급(1α) D램, 176단 낸드 양산을 발표했고 SK하이닉스도 176단 4D 낸드를 내놓았다.

이정배는 2021년 4세대 10나노급(1α) D램과 7세대 V낸드 양산을 진행하면서 경쟁사과 차별화된 기술을 보여줄 것으로 예상된다.

4세대 10나노급(1α) D램은 업계 최초로 메모리 제품에 도입한 극자외선(EUV) 공정 기술, 7세대 V낸드는 업계 최고 단수·최소 높이와 원가경쟁력 등이 차별화 지점이 될 것으로 보인다. 

이를 위해서 극자외선 공정 적용의 수율 확보와 싱글스택에서 더블스택으로 낸드 구조전환 등애 성공해야 한다.

메모리사업부가 삼성전자의 현금창출원(캐시카우) 역할을 한다는 점을 고려할 때 D램과 낸드사업에서 높은 수익을 내는 일도 중요하다.

삼성전자는 2030년 시스템반도체 1위를 목표로 '반도체비전2030'을 추진하고 있다. 이를 위해 대규모 파운드리(반도체 위탁생산) 투자와 인수합병(M&A) 등을 진행할 것으로 예상되는데 메모리부문에서 나오는 수익이 비메모리부문을 재무적으로 뒷받침하는 시기가 상당히 지속될 가능성이 크다.

이정배는 삼성전자 경영진 세대교체의 신호로도 여겨지고 있어 메모리사업부장으로서 성과를 내는 것이 더욱 중요하다. 전임자인 진교영 전 사장보다 5살 적고 진 전 사장이 메모리사업부장을 맡았을 때와 비교해도 2살 젊다.

삼성전자의 역대 메모리사업부장은 대부분 삼성전자 혹은 계열사 최고경영자(CEO)로 발탁됐다. 이정배도 메모리사업부장으로서 성과와 평가가 이후 경력에 직접 영향을 미칠 것으로 보인다.

◆ 평가

30년 가까이 D램 분야에만 종사한 전문가다. 상품기획팀장, 품질보증실장 등을 거치면서 대형고객사의 요구사항을 정확히 꿰뚫고 있는 것으로 평가받는다.

2021년 현재 삼성전자 사장단 중 노태문 무선사업부장 사장(1968년생)에 이어 두 번째로 나이가 적다.

서울대 전자공학과 85학번이다. 김택진 엔씨소프트 대표와 동기다.

삼성전자의 산학장학금을 받고 대학원을 다녔다. 입사 후에는 7년 만에 수석연구원에 올랐다. 일반적으로 수석연구원까지 8~9년 정도 걸리는 것을 생각하면 1~2년 빨랐다.

입사 후 반도체 설계부서로 배치를 받았는데 삼성전자 메모리담당 사장을 지낸 조수인 당시 설계팀장이 당장 결과를 내라고 하는 대신 3년 동안 업무파악하며 적응할 시간을 줬다고 한다.

후배들에게 기본적 원리와 이치를 벗어나지 않고 최대한 간단하게 반도체를 설계하도록 조언하는 것으로 알려졌다. 

어릴 때는 공부보다 그림 그리기를 좋아해 미술반 활동을 했다. 학교 대표로 사생대회에 참가해 내부무장관상 등 여러 상을 받기도 했다고 한다.

어린시절 중학교에 진학하기 힘들 만큼 가정형편이 어려워 장학금을 받기 위해 열심히 공부했다고 한다. 경제적으로 넉넉하지 않아 가고 싶던 물리학과 대신 취직이 잘되는 전자공학과를 선택했고 유학 대신 국내 대학원 진학을 결정했다. 삼성전자 산학장학금을 받게 되면서 학위를 따는 데 재정적 도움을 받았다.

서울대 의대 85학번인 홍혜걸 의학전문기자 등과 함께 20년 후배들을 대상으로 하는 책 ‘85학번이 05학번에게’에 인터뷰이로 참여하기도 했다.

독실한 기독교인이다. 흡연은 하지 않는다고 한다.

◆ 사건사고

◆ 경력
▲ 이정배(가운데) 삼성전자 메모리사업부 D램설계팀장 상무가 2012년 3월 4Gb LPDDR2 모바일D램으로 IR52 장영실상을 수상하고 함께 수상한 연구원들과 기념사진을 찍고 있다. <한국산업기술진흥협회>
1992년 삼성전자에 입사했다.

1995년 3월부터 2006년 1월까지 삼성전자 메모리사업부 D램설계팀 수석을 지냈다

2006년 2월부터 2008년 2월까지 삼성전자 메모리사업부 ATD팀 수석을 맡았다.

2008년 3월부터 2011년 12월까지 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 D램설계팀 수석연구원으로 일했다.

2011년 12월 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 D램설계팀장에 올랐다.

2013년 12월 삼성전자 DS부문 메모리사업부 전략마케팅팀 상품기획팀장을 맡았다.

2017년 5월 삼성전자 DS부문 메모리사업부 품질보증실장 부사장으로 승진했다.

2018년 12월 삼성전자 DS부문 메모리사업부 D램개발실장으로 이동했다.

2020년 12월 삼성전자 DS부문 메모리사업부 사장으로 승진했다.

◆ 학력

1985년 양정고등학교(68회)를 졸업했다.

1989년 서울대학교 전자공학과를 졸업했다.

1991년 서울대학교 전자공학과에서 석사학위를 받았다.

1995년 서울대학교 전자공학과에서 박사학위를 받았다.

◆ 가족관계

1남2녀 중 장남이다.

1995년 6월10일 결혼해 슬하에 2007년생 딸을 두고 있다.

◆ 상훈

2006년 5월19일 제41회 발명의날에 차세대 D램 관련 특허를 낸 공로로 산업포장을 받았다.

◆ 기타

2018년 6월1일 기준 삼성전자 주식 5천 주를 보유하고 있다. 2021년 2월26일 기준 4억1250만 원어치다.

◆ 어록
▲ 이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장이 2019년 7월 열린 D램개발실 신입사원 입사 1주년 기념행사 '블루페스티벌'에서 후배들에게 조언하고 있다. <삼성반도체이야기>
“3세대 10나노급(1z) 16Gb LPDDR5는 역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시한 제품이다. 프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여해 나가겠다." (2020/08/30, 세계 최대 반도체공장 평택2라인에서 1z LPDDR5를 생산하며)

“업계 최초로 극자외선(EUV) 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다. 내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는데 기여하겠다.” (2020/03/25, 업계 최초로 EUV 공정으로 생산한 D램을 양산하며)

“현재 주력 공정인 2세대 10나노급(1y)을 기반으로 차세대 LPDDR5 D램의 안정적인 공급 체제를 구축해 글로벌 고객들이 플래그십 스마트폰을 적기에 출시하는 데 기여하게 됐다. 향후에도 차세대 D램 공정 기반으로 속도와 용량을 더욱 높인 라인업을 한 발 앞서 출시해 프리미엄 메모리 시장을 지속 성장시켜 나가겠다.” (2019/07/18, 12Gb LPDDR5 모바일 D램을 세계 최초로 양산하며)

“배울 게 많은 시기인 만큼 성장하는 데에 관심을 가졌으면 좋겠다. 또한 내가 하고 있는 일에 의미를 부여할 줄 알고 회사에 기여할 수 있는 것이 무엇인지 고민해 보라. 그렇게 나의 일에 대한 가치를 부여하다 보면 D램개발실을 이끌어 나가는 주인공이 되어 있을 것이다.” (2019/07, 삼성전자 메모리사업부 임직원 입사 1주년 기념행사 ‘블루페스티벌’에서 후배들에게 조언하며)

“미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다. 향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나가겠다.” (2019/03/21, 세계 최초로 3세대 10나노급(1z) D램을 개발한 뒤)

“256GB UFS카드는 가장 큰 용량과 빠른 속도로 소비자들에게 최고의 사용 경험을 제공한다. 향후 더욱 속도를 높인 라인업을 출시하여 메모리카드 시장의 패러다임을 속도 중심으로 전환해 시장 성장을 주도해 나가겠다.” (2016/07/07, 최대 용량과 최고 속도를 구현한 256GB UFS카드를 출시하며)

“초고속이면서도 가장 작은 폼팩터로 512GB 용량을 제공해 차세대 PC의 디자인 유연성이 더욱 높아졌다. 향후 글로벌 IT 업체들은 더 얇고 스타일리시한 혁신적인 PC를 출시할 수 있을 것이다.” (2016/05/31, 세계 최소·최경량 SSD를 출시하며)

“글로벌 서버 기업들의 초고용량 SAS SSD의 공급 확대 요구를 만족시키기 위해 최선을 다하고 있다. 향후에도 한발 앞선 3차원 메모리 기술 개발로 차세대 SSD를 선행 출시하여 글로벌 IT 시장 트렌드 및 프리미엄 메모리 시장의 성장세를 지속 견인해 나가겠다.” (2016/05/31, 세계 최대 용량의 15.36TB 서버용 SSD를 출시하며)

“3비트 내장메모리 라인업으로 모바일 기기의 메모리 고용량화 트렌드를 주도하겠다. 향후 성능과 용량을 더욱 높인 차세대 라인업을 선보여 모바일 고객사의 수요 증가에 차질 없이 대응해 나가겠다.” (2015/03/19, 업계 최대 용량 128㎇ 스마트폰 내장메모리를 출시하며)

“세계적으로 데이터 사용량이 폭발적으로 늘어나고 있지만 전력과 서버 용량이 이를 따라가지 못하는 상황에 맞닥뜨릴 수 있다. 삼성전자의 그린메모리를 통해 저전력 고용량 저비용 고효율을 달성할 수 있다.” (2014/05/19, 홍콩에서 열린 투자자포럼에서)

“LPDDR2 모바일 D램에는 4Gb 메모리를 탑재해 메모리 자체 성능을 30% 올릴 수 있었다. 스마트폰 등 작동속도가 빨라져 갤럭시S2 등 모바일기기 사용자가 달라진 성능을 바로 체감할 수 있다.” (2012/03/19, 4Gb LPDDR2 모바일 D램으로 IR52 장영실상을 수상하며)

“더 빠른 D램을 소비자에게 전달하기 위해 노력하고 있다. 향후 차세대 D램 관련 기술의 개발에 주력해 국가경제 발전에 이바지 하고 싶다.” (2006/05/19, 제41회 발명의날 산업포장 수상 소감)

◆ 경영활동의 공과

△메모리사업부장 발탁
이정배는 2020년 12월 삼성전자 메모리사업부장 사장에 올랐다. 종합기술원장으로 이동한 진교영 전 메모리사업부장의 후임이다.

삼성전자는 이정배가 메모리사업부장으로서 D램뿐만 아니라 낸드, 솔루션 등 모든 메모리 제품에서 경쟁사와 초격차를 확대해 갈 것으로 기대했다.

이정배는 메모리사업부를 이끌어 2021년 4세대 10나노급(1α) D램 연내 양산과 7세대 V낸드 출시 등을 추진하고 있다. 

이정배는 2021년 2월 양향자 K뉴딜위원회 부위원장 등 더불어민주당 의원들과 장석영 과학기술정보통신부 차관이 평택캠퍼스를 방문했을 때 박학규 DS부문 경영지원실장, 이인용 CR담당 사장 등과 함께 참석해 반도체 패권 유지방안 등을 논의하기도 했다.

이정배는 D램개발실장으로서 2019년 세계 최초 3세대 10나노급(1z) D램 개발, 세계 최초 12기가비트(Gb) LPDDR5 모바일 D램 양산 등의 공로를 세웠다.

극자외선(EUV) 공정을 적용해 D램 양산체계를 갖추는 데도 기여했다. 2020년 3월 극자외선 공정을 적용해 생산한 1세대 10나노급(1x) DDR4 D램 모듈 100만 개를 공급했다.

2020년 8월 세계 최대 규모 반도체공장인 평택2공장에서 출하한 첫 제품으로 극자외선 공정을 적용한 16기가비트 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램 양산을 내놓기도 했다.
▲ 삼성전자 반도체사업 실적.
△낸드 제품 출시 전략 주도
상품기획팀장 시절에는 D램뿐 아니라 낸드 상품전략을 이끌면서 전문분야를 메모리 전반으로 넓혔다.

이정배는 2015년 3월 3비트 낸드플래시에 기반한 128기가바이트(GB) 스마트폰용 메모리 출시를 주도해 스마트폰 대용량화로 가는 발판을 마련했다.

프리미엄 스마트폰에는 고성능 유니버설플래시스토리지(UFS)를 적용하고, 보급형 스마트폰에는 임베디드멀티미디어카드(eMMC) 규격을 적용하는 투트랙 전략으로 대용량 스마트폰시장을 공략했다.

2016년에는 세계 최초로 256기가바이트 UFS 외장형 메모리 카드를 공개했다. 세계 최초 15.36테라바이트(TB) 서버용SSD 출시와 세계 최초 512기가바이트 최소·최경량 PC용 SSD 출시 등도 이정배의 손으로 이뤄졌다.

저전력 차세대 메모리에서 성장동력을 찾는 '그린메모리' 전략도 이끌었다. 2014년 5월 홍콩에서 열린 투자자포럼에서 글로벌 데이터 사용량이 폭발적으로 늘어나고 있지만 전력과 서버용량이 이를 따라가지 못할 수 있다며 저전력 고용량 그린메모리가 주목받을 것으로 예상했다.

이정배는 이에 따라 그린 D램으로 DDR4를 소개했다. 기존 DDR3보다 전력소모는 15% 줄이고 성능은 39% 개선한 제품이다. 또 10나노급 D램과 3차원 V낸드를 비롯해 M램, P램 등의 차세대 혁신 메모리가 주축을 이루는 시대를 전망했다.

이정배는 이런 각종 성과를 바탕으로 이재용 삼성전자 부회장 구속 등의 여파로 뒤늦게 최소폭의 인사가 이뤄진 2017년 5월 부사장으로 승진해 품질보증실장을 맡았다.

최시영 시스템LSI사업부 제조센터장, 황성우 종합기술원 연구센터장 등 DS부문 부사장 승진자 5명 중에 최연소였다.

△차세대 D램 표준화에 기여
메모리사업부 D램설계팀 시절 DDR1·DDR2·DDR3 등 차세대 D램 표준화 및 양산제품을 개발하는 데 참여했다. 

이정배는 삼성전자의 D램 사업 주도권 유지를 위해 선행기술 개발에 뛰어들고 기술을 특허화했다. 이 공로로 산업포장을 받기도 했다.

특히 1997년 미국전자공업협회(EIA)의 하부조직인 반도체표준협의기구(JEDEC)에 참가해 SD램 이후 차세대 D램 표준을 결정하는 과정에서 인텔이 주도하는 램버스D램(RD램)이 아닌 삼성전자가 제안한 DDR D램을 표준으로 채택하는 성과를 냈다.

1년 넘게 논의한 끝에 HP가 삼성전자 표준을 지지하면서 DDR이 차세대 표준이 됐다. 이번 일은 삼성전자가 반도체 공정분야뿐 아니라 설계분야에서도 리더십을 확보할 수 있는 계기가 됐다고 평가했다.

삼성전자는 차세대 D램 표준화 기술 개발로 2001년부터 2005년까지 모두 29조5천억 원의 매출효과를 거뒀다. 직접 매출 증대효과 외에도 기술사용료 등 간접적 매출효과도 컸던 것으로 여겨졌다.

이정배는 D램설계팀장을 맡던 2012년에는 초당 1066메가비트(Mb)의 모바일D램 최고속도를 구현한 30나노 4기가비트(Gb) LPDDR 모바일D램으로 12주차 IR52 장영실상을 수상하기도 했다.


◆ 비전과 과제
▲ 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장의 D램연구팀 수석연구원 시절 모습. <'파로학번이 공오학번에게'(2005) 중>
이정배는 삼성전자의 핵심사업인 메모리사업부를 이끌어 경쟁사들과 초격차를 유지하며 1위 지위를 지켜나가야 한다.

삼성전자는 2020년 D램시장 점유율 43.1%로 1위에 오른 것으로 추정되나 2018년 43.9%, 2019년 43.7%보다는 후퇴하는 추세다. 낸드 점유율 역시 2020년 3분기 기준으로 33.1%로 2019년 3분기 33.5%보다 뒷걸음질했다.

후발주자들과 여전히 차이는 존재하나 최근 기술격차가 빠르게 좁혀지는 것으로 파악된다. 특히 차세대 제품군에서 경쟁자들의 추격이 거세다. 미국 마이크론이 삼성전자보다 먼저 4세대 10나노급(1α) D램, 176단 낸드 양산을 발표했고 SK하이닉스도 176단 4D 낸드를 내놓았다.

이정배는 2021년 4세대 10나노급(1α) D램과 7세대 V낸드 양산을 진행하면서 경쟁사과 차별화된 기술을 보여줄 것으로 예상된다.

4세대 10나노급(1α) D램은 업계 최초로 메모리 제품에 도입한 극자외선(EUV) 공정 기술, 7세대 V낸드는 업계 최고 단수·최소 높이와 원가경쟁력 등이 차별화 지점이 될 것으로 보인다. 

이를 위해서 극자외선 공정 적용의 수율 확보와 싱글스택에서 더블스택으로 낸드 구조전환 등애 성공해야 한다.

메모리사업부가 삼성전자의 현금창출원(캐시카우) 역할을 한다는 점을 고려할 때 D램과 낸드사업에서 높은 수익을 내는 일도 중요하다.

삼성전자는 2030년 시스템반도체 1위를 목표로 '반도체비전2030'을 추진하고 있다. 이를 위해 대규모 파운드리(반도체 위탁생산) 투자와 인수합병(M&A) 등을 진행할 것으로 예상되는데 메모리부문에서 나오는 수익이 비메모리부문을 재무적으로 뒷받침하는 시기가 상당히 지속될 가능성이 크다.

이정배는 삼성전자 경영진 세대교체의 신호로도 여겨지고 있어 메모리사업부장으로서 성과를 내는 것이 더욱 중요하다. 전임자인 진교영 전 사장보다 5살 적고 진 전 사장이 메모리사업부장을 맡았을 때와 비교해도 2살 젊다.

삼성전자의 역대 메모리사업부장은 대부분 삼성전자 혹은 계열사 최고경영자(CEO)로 발탁됐다. 이정배도 메모리사업부장으로서 성과와 평가가 이후 경력에 직접 영향을 미칠 것으로 보인다.


◆ 평가


30년 가까이 D램 분야에만 종사한 전문가다. 상품기획팀장, 품질보증실장 등을 거치면서 대형고객사의 요구사항을 정확히 꿰뚫고 있는 것으로 평가받는다.

2021년 현재 삼성전자 사장단 중 노태문 무선사업부장 사장(1968년생)에 이어 두 번째로 나이가 적다.

서울대 전자공학과 85학번이다. 김택진 엔씨소프트 대표와 동기다.

삼성전자의 산학장학금을 받고 대학원을 다녔다. 입사 후에는 7년 만에 수석연구원에 올랐다. 일반적으로 수석연구원까지 8~9년 정도 걸리는 것을 생각하면 1~2년 빨랐다.

입사 후 반도체 설계부서로 배치를 받았는데 삼성전자 메모리담당 사장을 지낸 조수인 당시 설계팀장이 당장 결과를 내라고 하는 대신 3년 동안 업무파악하며 적응할 시간을 줬다고 한다.

후배들에게 기본적 원리와 이치를 벗어나지 않고 최대한 간단하게 반도체를 설계하도록 조언하는 것으로 알려졌다. 

어릴 때는 공부보다 그림 그리기를 좋아해 미술반 활동을 했다. 학교 대표로 사생대회에 참가해 내부무장관상 등 여러 상을 받기도 했다고 한다.

어린시절 중학교에 진학하기 힘들 만큼 가정형편이 어려워 장학금을 받기 위해 열심히 공부했다고 한다. 경제적으로 넉넉하지 않아 가고 싶던 물리학과 대신 취직이 잘되는 전자공학과를 선택했고 유학 대신 국내 대학원 진학을 결정했다. 삼성전자 산학장학금을 받게 되면서 학위를 따는 데 재정적 도움을 받았다.

서울대 의대 85학번인 홍혜걸 의학전문기자 등과 함께 20년 후배들을 대상으로 하는 책 ‘85학번이 05학번에게’에 인터뷰이로 참여하기도 했다.

독실한 기독교인이다. 흡연은 하지 않는다고 한다.

◆ 사건사고


◆ 경력
▲ 이정배(가운데) 삼성전자 메모리사업부 D램설계팀장 상무가 2012년 3월 4Gb LPDDR2 모바일D램으로 IR52 장영실상을 수상하고 함께 수상한 연구원들과 기념사진을 찍고 있다. <한국산업기술진흥협회>
1992년 삼성전자에 입사했다.

1995년 3월부터 2006년 1월까지 삼성전자 메모리사업부 D램설계팀 수석을 지냈다

2006년 2월부터 2008년 2월까지 삼성전자 메모리사업부 ATD팀 수석을 맡았다.

2008년 3월부터 2011년 12월까지 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 D램설계팀 수석연구원으로 일했다.

2011년 12월 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 D램설계팀장에 올랐다.

2013년 12월 삼성전자 DS부문 메모리사업부 전략마케팅팀 상품기획팀장을 맡았다.

2017년 5월 삼성전자 DS부문 메모리사업부 품질보증실장 부사장으로 승진했다.

2018년 12월 삼성전자 DS부문 메모리사업부 D램개발실장으로 이동했다.

2020년 12월 삼성전자 DS부문 메모리사업부 사장으로 승진했다.

◆ 학력

1985년 양정고등학교(68회)를 졸업했다.

1989년 서울대학교 전자공학과를 졸업했다.

1991년 서울대학교 전자공학과에서 석사학위를 받았다.

1995년 서울대학교 전자공학과에서 박사학위를 받았다.

◆ 가족관계

1남2녀 중 장남이다.

1995년 6월10일 결혼해 슬하에 2007년생 딸을 두고 있다.

◆ 상훈

2006년 5월19일 제41회 발명의날에 차세대 D램 관련 특허를 낸 공로로 산업포장을 받았다.

◆ 기타

2018년 6월1일 기준 삼성전자 주식 5천 주를 보유하고 있다. 2021년 2월26일 기준 4억1250만 원어치다.


◆ 어록
▲ 이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장이 2019년 7월 열린 D램개발실 신입사원 입사 1주년 기념행사 '블루페스티벌'에서 후배들에게 조언하고 있다. <삼성반도체이야기>
“3세대 10나노급(1z) 16Gb LPDDR5는 역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시한 제품이다. 프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여해 나가겠다." (2020/08/30, 세계 최대 반도체공장 평택2라인에서 1z LPDDR5를 생산하며)

“업계 최초로 극자외선(EUV) 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다. 내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는데 기여하겠다.” (2020/03/25, 업계 최초로 EUV 공정으로 생산한 D램을 양산하며)

“현재 주력 공정인 2세대 10나노급(1y)을 기반으로 차세대 LPDDR5 D램의 안정적인 공급 체제를 구축해 글로벌 고객들이 플래그십 스마트폰을 적기에 출시하는 데 기여하게 됐다. 향후에도 차세대 D램 공정 기반으로 속도와 용량을 더욱 높인 라인업을 한 발 앞서 출시해 프리미엄 메모리 시장을 지속 성장시켜 나가겠다.” (2019/07/18, 12Gb LPDDR5 모바일 D램을 세계 최초로 양산하며)

“배울 게 많은 시기인 만큼 성장하는 데에 관심을 가졌으면 좋겠다. 또한 내가 하고 있는 일에 의미를 부여할 줄 알고 회사에 기여할 수 있는 것이 무엇인지 고민해 보라. 그렇게 나의 일에 대한 가치를 부여하다 보면 D램개발실을 이끌어 나가는 주인공이 되어 있을 것이다.” (2019/07, 삼성전자 메모리사업부 임직원 입사 1주년 기념행사 ‘블루페스티벌’에서 후배들에게 조언하며)

“미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다. 향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시 및 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나가겠다.” (2019/03/21, 세계 최초로 3세대 10나노급(1z) D램을 개발한 뒤)

“256GB UFS카드는 가장 큰 용량과 빠른 속도로 소비자들에게 최고의 사용 경험을 제공한다. 향후 더욱 속도를 높인 라인업을 출시하여 메모리카드 시장의 패러다임을 속도 중심으로 전환해 시장 성장을 주도해 나가겠다.” (2016/07/07, 최대 용량과 최고 속도를 구현한 256GB UFS카드를 출시하며)

“초고속이면서도 가장 작은 폼팩터로 512GB 용량을 제공해 차세대 PC의 디자인 유연성이 더욱 높아졌다. 향후 글로벌 IT 업체들은 더 얇고 스타일리시한 혁신적인 PC를 출시할 수 있을 것이다.” (2016/05/31, 세계 최소·최경량 SSD를 출시하며)

“글로벌 서버 기업들의 초고용량 SAS SSD의 공급 확대 요구를 만족시키기 위해 최선을 다하고 있다. 향후에도 한발 앞선 3차원 메모리 기술 개발로 차세대 SSD를 선행 출시하여 글로벌 IT 시장 트렌드 및 프리미엄 메모리 시장의 성장세를 지속 견인해 나가겠다.” (2016/05/31, 세계 최대 용량의 15.36TB 서버용 SSD를 출시하며)

“3비트 내장메모리 라인업으로 모바일 기기의 메모리 고용량화 트렌드를 주도하겠다. 향후 성능과 용량을 더욱 높인 차세대 라인업을 선보여 모바일 고객사의 수요 증가에 차질 없이 대응해 나가겠다.” (2015/03/19, 업계 최대 용량 128㎇ 스마트폰 내장메모리를 출시하며)

“세계적으로 데이터 사용량이 폭발적으로 늘어나고 있지만 전력과 서버 용량이 이를 따라가지 못하는 상황에 맞닥뜨릴 수 있다. 삼성전자의 그린메모리를 통해 저전력 고용량 저비용 고효율을 달성할 수 있다.” (2014/05/19, 홍콩에서 열린 투자자포럼에서)

“LPDDR2 모바일 D램에는 4Gb 메모리를 탑재해 메모리 자체 성능을 30% 올릴 수 있었다. 스마트폰 등 작동속도가 빨라져 갤럭시S2 등 모바일기기 사용자가 달라진 성능을 바로 체감할 수 있다.” (2012/03/19, 4Gb LPDDR2 모바일 D램으로 IR52 장영실상을 수상하며)

“더 빠른 D램을 소비자에게 전달하기 위해 노력하고 있다. 향후 차세대 D램 관련 기술의 개발에 주력해 국가경제 발전에 이바지 하고 싶다.” (2006/05/19, 제41회 발명의날 산업포장 수상 소감)


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