△삼성전자 반도체기술 발전에 기여
최시영은 삼성전자 반도체기술이 세계 최고 수준에 오르는 데 공을 세웠다.

삼성전자 반도체연구소에서 공정 개발을 맡아 삼성전자가 50나노급, 40나노급, 30나노급 등으로 메모리반도체 D램 미세공정을 심화하는 데 기여했다. 또 삼성전자가 세계 최초로 수직적층 낸드플래시를 양산하는 데도 기여했다.

메모리반도체가 아닌 시스템반도체 분야에서도 최시영은 기술 개발을 주도했다.

최시영은 삼성전자가 2015년 업계 최초로 14나노급 핀펫 공정 기반의 모바일 프로세서를 생산하는 데 깊이 관여한 것으로 알려졌다.

핀펫은 기존에 평면 구조였던 반도체 트랜지스터를 3차원 구조로 바꾼 것을 말한다. 14나노급 핀펫 공정은 기존 20나노급 평면 공정과 비교해 최대 35%의 전력 감소와 20%의 성능 향상을 보였다.

이후 최시영은 2015년부터 2017년까지 기흥·화성사업장 시스템LSI 제조센터 YE(수율 개선)팀장을, 2017년부터 2018년까지 기흥·화성·평택사업장 파운드리제조기술센터장을 지내며 삼성전자 반도체 생산기술 발전에 공헌했다.

이 기간에 삼성전자는 시스템반도체를 생산하는 데 14나노급에서 7나노급에 이르는 로드맵을 완성했다. 또 극자외선(EUV) 공정을 도입하는 성과를 내기도 했다.

극자외선 공정은 파장이 짧은 극자외선을 통해 더 미세한 반도체 회로를 그리는 기술을 말한다.

삼성전자의 역대 최대 반도체 생산단지로 꼽히는 평택사업장이 2017년 완공돼 자리를 잡는 과정에도 최시영의 공이 컸던 것으로 보인다.

삼성전자는 홈페이지를 통해 “최 사장은 2017년부터 제조기술센터장을 맡아 세계 최대 반도체 제조 클러스터 구축을 성공적으로 이끌었다”며 “또 제조시스템 혁신에 앞장서 팹 운영 효율성을 대폭 강화하고 기술 경쟁력을 극대화했다”고 말했다.

삼성전자 파운드리사업부는 2020년 하반기부터 본격적으로 5나노급 반도체 양산에 들어갔다. 현재 세계에서 5나노급 반도체를 만들 수 있는 파운드리기업은 대만 TSMC와 삼성전자뿐이다.

삼성전자는 이같은 반도체 기술력을 바탕으로 퀄컴, 엔비디아, IBM 등 세계 주요 반도체기업을 파운드리 고객사로 유치하고 있다. 최근에는 인텔도 새로운 파운드리 고객으로 오르내린다.

삼성전자는 2022년 3나노급 반도체 양산을 계획하고 있다.

△삼성전자 파운드리사업부장 올라
최시영은 삼성전자 파운드리사업을 이끌어갈 적임자로 뽑혔다.

2020년 12월2일 정기 사장단인사에서 최시영은 사장으로 승진하고 파운드리사업부장으로 선임됐다.

삼성전자는 “최시영은 반도체 공정 개발과 제조부문을 이끌어 온 공정·제조 전문가”라며 “파운드리사업부장으로서 파운드리 세계 1위 달성의 발판을 마련해 줄 것으로 기대된다”고 말했다.

◆ 비전과 과제 최시영은 곧 다가올 3나노급 반도체 경쟁에서 대만 TSMC를 상대로 더욱 앞선 미세공정 기술력을 보여줘야 한다.

삼성전자는 2030년까지 시스템반도체분야에서 세계 1위를 달성한다는 목표를 세웠다. 하지만 시스템반도체사업의 한 축인 파운드리사업은 아직 1위와 거리가 멀다. TSMC가 파운드리시장 절반 이상을 차지하고 있다.

현재까지 삼성전자와 TSMC의 미세공정 기술력은 거의 비슷한 수준으로 평가된다. 두 기업은 7나노급, 5나노급 공정을 기반으로 한 고성능 반도체를 양산해 글로벌 기업들에 공급하고 있다.

그러나 TSMC가 이미 많은 고객사를 선점했다는 점을 고려하면 삼성전자가 TSMC를 뛰어넘기 위해서는 단순히 비슷한 기술력을 보여주는 데 그쳐서는 안 된다는 말이 나온다. 2022년 양산 예정된 삼성전자 3나노급 공정에 시선이 쏠리는 이유다.

삼성전자 3나노급 공정에서는 기존 핀펫 공정과 달리 게이트올어라운드(GAA) 기술이 적용된다. 게이트올어라운드는 트랜지스터 구성요소인 게이트와 채널의 접촉면적을 넓혀 전력 소모를 최소화하는 기술이다.

TSMC는 삼성전자와 달리 3나노급 공정에서도 핀펫을 유지한다. 삼성전자 3나노급 공정이 좋은 성과를 거두면 삼성전자와 TSMC의 파운드리사업 격차가 좁혀질 가능성이 커질 수 있다.

다만 게이트올어라운드는 기술적 난도와 생산비용이 높은 것으로 알려졌다. 최시영이 반도체 공정 전문가로서 얼마나 뛰어난 역량을 보여주느냐에 따라 3나노급 공정의 효용이 좌우될 것으로 예상된다.

세계적으로 시스템반도체 수요가 급증하는 가운데 3나노급 공정은 삼성전자 파운드리사업의 성장세에 큰 영향을 미칠 것으로 전망된다. 특히 최근에는 세계 최대 반도체기업으로 꼽히는 인텔이 반도체 외주 생산을 고심하고 있어 삼성전자의 미세공정 경쟁력이 더 중요해졌다.

◆ 평가 최시영은 국제적으로 반도체 등 기술분야의 전문가로 인정받고 있다.

삼성전자에 따르면 현재까지 100편 이상의 논문을 발표했고 100개 이상의 미국 특허를 보유하고 있다.

또 초대규모집적회로(VLSI)학회, 국제반도체기술로드맵(ITRS), 벨기에 전자기술연구소 IMEC 등 여러 반도체 관련 학술·연구단체에 소속돼 활동하고 있다.

삼성전자 내부에서는 모든 반도체 제품 개발을 주도한 핵심인재로 평가받는다.

△삼성전자 오스틴 파운드리공장 한파로 가동 중단
미국 오스틴에 있는 삼성전자 파운드리공장이 갑작스런 한파의 영향으로 가동을 멈췄다.

삼성전자 오스틴공장은 2021년 2월16일 기록적 한파로 전력 공급이 중단돼 가동을 중단했다.

오스틴 공장 가동이 중단된 것은 1998년 설립 이후 처음이다. 삼성전자는 가동 중단에 앞서 당국과 협의해 피해를 최소화한 것으로 알려졌다.

시장 조사업체 트렌드포스는 오스틴 공장 가동중단에 따라 솔리드스테이트드라이브(SSD) 가격이 높아질 수 있다고 분석했다.

◆ 경력 1995년 6월부터 1997년 1월까지 삼성전자 메모리본부 반도체연구소 공정개발2팀에서 일했다.

1997년 2월부터 2000년 1월까지 반도체연구소 공정개발팀에서 근무했다.

2000년 2월부터 2009년 1월까지 메모리사업부 반도체연구소 공정개발팀 업무를 수행했다.

2009년 2월부터 2009년 12월까지 반도체연구소 공정개발팀에서 일했다.

2010년 1월부터 2013년 12월까지 반도체연구소 공정개발팀 공정개발3P/J장을 지냈다.

2013년 12월부터 2014년 12월까지 시스템LSI사업부 파운드리사업팀 공정개발팀장을 맡았다.

2014년 12월부터 2015년 12월까지 반도체연구소 공정개발실 공정개발2팀장을 역임했다.

2015년 12월부터 2017년 3월까지 기흥·화성사업장 시스템LSI 제조센터 YE팀장으로 일했다.

2017년 3월부터 2018년 12월까지 기흥·화성·평택사업장 파운드리제조기술센터장을 지냈다.

2018년 12월부터 2020년 12월까지 글로벌인프라총괄 메모리제조기술센터장을 맡았다.

2021년 1월부터 파운드리사업부장으로 근무하고 있다.

◆ 학력

1986년 연세대학교에서 재료공학 학사학위를 받았다.

1988년 연세대학교에서 재료공학 석사학위를 받았다.

1996년 미국 오하이오주립대학교에서 전자재료공학 박사학위를 받았다.

◆ 가족관계

미국 유학 당시 아내와 사이에 아들 1명을 뒀다.

◆ 상훈

2020년 12월 금탑산업훈장을 받았다. 14나노급 이하 시스템반도체 및 수직적층 낸드플래시 개발·양산이 이바지한 공로를 인정받았다.

◆ 기타

2020년 12월30일 기준 삼성전자 보통주 1만250주를 보유하고 있다. 이는 2021년 2월23일 종가 기준 8억4천만 원에 이르는 규모다.

“신입사원들의 입사 1주년을 진심으로 축하한다. 메모리제조기술센터의 미래를 만들어 갈 주인공은 신입사원 여러분이라고 생각한다. 지금의 열정을 잃지 않고 즐겁게 회사생활하기를 바란다.” (2019/07, 삼성전자 메모리기술센터 신입사원 입사 1주년 기념행사에서)