[비즈니스포스트] 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장이 10나노 이하 D램, 1천단 낸드플래시를 통해 메모리 선두를 유지하겠다는 의지를 내보였다.

이 사장은 17일 삼성전자 뉴스룸 기고문에서 “앞으로 다가올 최첨단 메모리 반도체인 10나노 이하 D램과 1천단 V낸드(삼성전자가 개발한 3차원 수직구조로 쌓아올린 낸드플래시) 시대에는 새로운 구조와 소재 혁신이 매우 중요하다”며 “끊임없는 기술혁신을 통해 메모리반도체 업계 선두를 지속해 나가겠다”고 말했다.
 
이 사장은 “D램의 경우 3차원 적층구조와 새로운 소재를 연구개발하고 있으며 낸드플래시의 경우 쌓아올리는 적층단수를 계속 늘리면서도 높이는 줄이고 셀 사이 간섭은 최소화해 반도체 업계에서 가장 작은 셀 크기를 구현하려고 노력하고 있다”고 덧붙였다.

또한 삼성전자는 칩의 속도를 개선하기위해 V낸드의 입출력(I/O) 속도를 극대화하는 새로운 구조 도입도 준비하고 있다고 전했다.

이 사장은 “삼성전자가 현재 개발하고 있는 11나노급 D램은 메모리 반도체 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 수 있을 것이다”며 “최근 9세대 V낸드는 더블스택(낸드플래시를 2번에 나눠 제작한 뒤 합치는 방법) 구조로 내년 초 양산을 위해 노력하고 있다”고 말했다.

삼성전자가 미래준비를 위해 고부가 제품과 첨단공정 생산비중을 확대하고 연구개발 투자를 늘릴 계획을 갖고 있다는 점도 알렸다.

이 사장은 “고부가 제품과 첨단공장의 생산비중을 늘리면서 초거대 인공지능 등 신규 응용처에 대한 메모리 수요에 적기에 대응해 사업경쟁력을 높이는데 집중하고 있다”며 “동시에 투자는 지속하면서 수요 변동성과 메모리 제품의 긴 생산 리드타임을 극복하기 위해 메모리 라인 운영을 고도화할 것이다”고 말했다.

이 사장은 “초일류 기술을 바탕으로 지속적 도전과 혁신을 통해 고객과 함께 성장하면서 더 나은 미래를 열어가겠다”고 덧붙였다. 조장우 기자