[비즈니스포스트] 삼성전자의 올해 3분기 시설투자가 2분기 대비 3천억 원이 증가한 12조4천억 원인 것으로 집계됐다.
반도체(DS) 부문이 10조7천억 원, 디스플레이 부문이 1조 원가량이다.
삼성전자는 31일 올해 3분기 시설투자 규모를 공개했다.
3분기 전체 시설투자는 전분기보다 3천억 원이 증가한 12조4천억 원인 것으로 나타났다.
1분기부터 3분기까지 누계로는 35조8천억 원이 집행됐으며, DS부문 30조3천억 원, 디스플레이 부문이 3조9천억 원 수준이다.
올해 전체 시설투자 규모는 지난해 대비 3조6천억 원 증가한 56조7천억 원이 될 것으로 예상된다.
삼성전자는 “메모리 반도체의 경우 시장 상황과 연계된 탄력적 설비 투자를 유지하면서 고대역폭메모리(HBM)와 DDR5 메모리 등 고부가가치 제품 전환에 중점을 둘 것”이라고 설명했다.
다만 파운드리(반도체 위탁생산)은 시황과 투자 효율성을 고려해 투자 규모가 축소된다.
디스플레이는 경쟁력 유지를 위해 중소형 디스플레이 생산시설과 제조라인 보완에 적극 투자를 진행한다.
한편 회사는 올해 3분기 R&D 투자 규모는 8조8천700억 원으로 역대 분기 최대를 기록했다고 밝혔다. 회사는 인공지능(AI) 반도체, 고성능 메모리, 서버 관련 제품 등 미래 기술 개발에 지속적으로 투자를 늘리고 있다.
회사는 경기도 기흥사업장에 건설 중인 차세대 반도체 R&D단지에 2030년까지 약 20조 원을 투입한다. 김호현 기자
반도체(DS) 부문이 10조7천억 원, 디스플레이 부문이 1조 원가량이다.

▲ 삼성전자의 올해 3분기 시설투자가 전분기 대비 3천억 원이 증가한 12조4천억 원에 달했다. <연합뉴스>
삼성전자는 31일 올해 3분기 시설투자 규모를 공개했다.
3분기 전체 시설투자는 전분기보다 3천억 원이 증가한 12조4천억 원인 것으로 나타났다.
1분기부터 3분기까지 누계로는 35조8천억 원이 집행됐으며, DS부문 30조3천억 원, 디스플레이 부문이 3조9천억 원 수준이다.
올해 전체 시설투자 규모는 지난해 대비 3조6천억 원 증가한 56조7천억 원이 될 것으로 예상된다.
삼성전자는 “메모리 반도체의 경우 시장 상황과 연계된 탄력적 설비 투자를 유지하면서 고대역폭메모리(HBM)와 DDR5 메모리 등 고부가가치 제품 전환에 중점을 둘 것”이라고 설명했다.
다만 파운드리(반도체 위탁생산)은 시황과 투자 효율성을 고려해 투자 규모가 축소된다.
디스플레이는 경쟁력 유지를 위해 중소형 디스플레이 생산시설과 제조라인 보완에 적극 투자를 진행한다.
한편 회사는 올해 3분기 R&D 투자 규모는 8조8천700억 원으로 역대 분기 최대를 기록했다고 밝혔다. 회사는 인공지능(AI) 반도체, 고성능 메모리, 서버 관련 제품 등 미래 기술 개발에 지속적으로 투자를 늘리고 있다.
회사는 경기도 기흥사업장에 건설 중인 차세대 반도체 R&D단지에 2030년까지 약 20조 원을 투입한다. 김호현 기자